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查看: 5856|回复: 14

[求助] 为什么RC trigger的NMOS不用按照esd画法画版图?

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发表于 2015-12-17 12:41:34 | 显示全部楼层 |阅读模式

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看了一下别人的设计,电源的ESD结构都是用RC trigger的结构,后面的NMOS和中间的inverter都没用ESD结构,就是没有用RPO层,为什么呢?
发表于 2015-12-18 03:50:34 | 显示全部楼层
这个要看RC trigger后的NMOS是设计成MOS沟道放电, 还是snap-back放电, 前者基本不需要ESD rule, 后者需要.
前者的W/L会比较大, 另外前者需要考虑好寄生二极管正向导通时的情况.
发表于 2016-1-2 17:41:41 | 显示全部楼层
本帖最后由 chudong 于 2016-1-2 17:42 编辑

回复 2# albertyin


    楼上能不能讲得再直白一些?沟道放电是否就是利用RC的时间常数造成NMOS的短时间开启进行沟道放电?
snap bak放电是否利用寄生器件导通实现放电?其中snap back指的是什么?不太明白?
发表于 2016-1-5 02:17:15 | 显示全部楼层
1. 是的. 沟道放电一般会在RC后加反相器/buffer来驱动MOS的gate.
2. 是的. 下图是Snapback示意图. esd_fig1.gif
发表于 2016-1-28 18:05:25 | 显示全部楼层
好帖子好帖子
发表于 2023-2-13 14:53:25 | 显示全部楼层
发表于 2023-3-12 20:54:46 | 显示全部楼层
电源类芯片一般不允许使用RC trigger设计吧,电源太脏了,有很多的尖峰信号,如果在电源上放RC trigger的ESD,会有很多的误触发
发表于 2023-3-13 09:01:21 | 显示全部楼层


stevenzhang2020 发表于 2023-3-12 20:54
电源类芯片一般不允许使用RC trigger设计吧,电源太脏了,有很多的尖峰信号,如果在电源上放RC trigger的ES ...


是的,RC trigger电路很好用,不过也有很大的限制使用条件。电源类产品更多使用纯R的调节结构。
发表于 2023-3-28 10:39:30 | 显示全部楼层


fei_SH 发表于 2023-3-13 09:01
是的,RC trigger电路很好用,不过也有很大的限制使用条件。电源类产品更多使用纯R的调节结构。
...


你好,我的理解是使用rc+inv+nmos 这种结果正可以让电源上的脉冲放到地上使电源变得干净,不然电源上的noise在芯片内部什么时候可以滤除掉呢?还有就是纯R的电阻调节的结构可以分享一下吗,我看过smic的电阻反馈的rc clamp结果,想看看差异
发表于 2023-6-9 17:46:01 | 显示全部楼层
顶一下,我们正准备用rc+inv+nmos这种结构不知道这种做法有没有问题
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