交叉耦合式电荷泵衬底接法

fightshan

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    谢谢您给的文件!之前我一直不明白为什么衬底和S短接了DS还可以互换，现在我的理 ...
追风的孩子 发表于 2015-10-23 21:54

                               
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   SD确实会互换  而且互换看起来是有问题的 因为互换之后相当于的B和D短接了  而PMOS互换之后的S端电压更高  这会导致S端PN结正偏  有latch up的风险

mikeppq

回复 19# 追风的孩子

在正常情况下，pmos管的sub接低电位（drain），无论gate高低，都会有漏电，因为pn结导通了，这是不允许的。但在这个电路里，这些漏电都会积累Cout上，使得Vout电位慢慢抬高，当vout>vin-vbe之后，漏电就渐渐消失。

追风的孩子

回复 22# mikeppq


    对啊，楼上也说了，这样NMOS、PMOS的衬底-D\S 的PN结都导通了，有闩锁的风险啊

mikeppq

回复 23# 追风的孩子


   两个N管的衬底接哪里？普通的N管行不行？

追风的孩子

回复 24# mikeppq


   这个泵升的，级数一多或者输入电压本来就比较高，这样最终输出=VIN*N很大，普通的NMOS衬偏很严重，我用的是隔离型的，衬底接到VIN，PMOS衬底接到Vout了，从电路整体来看，VIN<MOS漏端锻压<vout，因为工作过程中，DS互换，可以工作。仿真了，这种接法的充电速度是最快的。

追风的孩子

回复 21# fightshan
我看了几款片子，这块的NMOS、PMOS都画在一块，并没有特别分开，可能latch-up风险不大吧。如果真的想避免，把NMOS、PMOS距离拉开，分别画在电容两边这样是否可行？

mikeppq

回复 25# 追风的孩子


   latch up是电源从pmos到nmos到地，我们这里电源接nmos，还是隔离型的，不用担心latch up问题。

追风的孩子

回复 27# mikeppq


    恩，对！这里有VDD，但是隔离型的，没有GND，是有导通可能，但是形成不了latch-up的通路。不过我layout时候还是NMOS、PMOS周围还是做个保护环吧，加保护环不会有什么问题吧。

fightshan

回复  mikeppq


    恩，对！这里有VDD，但是隔离型的，没有GND，是有导通可能，但是形成不了latch-up ...
追风的孩子 发表于 2015-10-26 17:18

                               
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   隔离型的NMOS？是DNWELL NMOS？否则如何让body和source短接？PMOS有漏端正偏的问题 但看了前几楼那位前辈的描述好像确实漏电流只能流到输出电容不会形成VDD到GND的通路应该不会有latch up的风险

追风的孩子

回复 29# fightshan


    隔离型的嘛，用DNW隔开，相当于5端器件