交叉耦合式电荷泵衬底接法

mikeppq

最初启动的时候，Vclk1=0 ，Vclk2=vin，V1=0，V2=vin；
V2的电压是Vclk2 couple过去的，因为V1=0,V2=vin，vout=0，所以M3导通，M4关闭。
然后V2从vin下降到vx2,(vx2有C2和Cout的分压决定），而V1从0充电到vx1(稳定后vx1约等于vin)。

mikeppq

vout < vin , pmos 的 S D 互换位置。
vout > vin , pmos 的 S 回到 Vout端。

fightshan

vout < vin , pmos 的 S D 互换位置。
vout > vin , pmos 的 S 回到 Vout端。
mikeppq 发表于 2015-10-16 17:33

                               
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   那会不会出现 PMOS漏端电压比衬底高的情况？这怎么解决？

追风的孩子

回复 10# fightshan


    源端为0啊，这样漏断2VDD，会有漏电，寄生二极管导通，但是漏电电压不会上升的太高啊。最起码还有个阈值差值，再说这个结构时没有阈值损失的，输出近似为N*VIN

追风的孩子

回复 12# mikeppq


    衬底已经和vout相连了，S、D就不能互换了吧

fightshan

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    源端为0啊，这样漏断2VDD，会有漏电，寄生二极管导通，但是漏电电压不会上升的太 ...
追风的孩子 发表于 2015-10-17 11:08

                               
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   你需要把最基本的sah公式看明白  以及晶体管作为开关可以传输电压的基本原理搞清楚

fightshan

A CMOS Low Voltage Charge Pump.pdf (841.41 KB, 下载次数: 437 )

2015-10-18 10:36 上传

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这篇文章可以参考一下  讲交叉耦合CP 基本原理可以看看

mikeppq

回复 15# 追风的孩子


   为什么不能？好好想一想。通常情况下是不可以，但这里不一样。

追风的孩子

回复 18# mikeppq


   
谢谢!我的理解是这样的，您看一下对不对，如图所示，VS、VB、VG都是VDD，这个时候，衬底漏电的话，衬底电位到D端电位是逐渐下降的，此时，VG与靠近D端的体电位压差>vth，会反型，反型区域如图绿色区域所示，靠近S端虽然没有反型，但是有横向电场，所以S、D导通了，而此时D端提供电子，所以DS互换了。PMOS反之也是，不知道这样理解对不对，再次感谢您的指点。

追风的孩子

回复 17# fightshan


    谢谢您给的文件!之前我一直不明白为什么衬底和S短接了DS还可以互换，现在我的理解是这样的，您看一下对不对，如图所示，VS、VB、VG都是VDD，这个时候，衬底漏电的话，衬底电位到D端电位是逐渐下降的，此时，VG与靠近D端的体电位压差>vth，会反型，反型区域如图绿色区域所示，靠近S端虽然没有反型，但是有横向电场，所以S、D导通了，而此时D端提供电子，所以DS互换了。PMOS反之也是，不知道这样理解对不对，再次感谢您的指点。