GDPMOS是怎样结构？就是GS的短接的PMOS吗？能用来做电源和地之间的clamp吗？

追风的孩子 · 发表于 2015-10-22 12:14:22

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追风的孩子 · 发表于 2015-10-22 14:58:54

是这样的连接吗？最近的项目fab说用gdpmos做VDD与GND的clamp，给了个PMOS，未连接，也查不到资料，求助。

蓝风紫心 · 发表于 2015-10-22 15:16:51

回复 2# 追风的孩子

是的！GDPMOS

追风的孩子 · 发表于 2015-10-23 10:35:52

回复 3# 蓝风紫心

谢谢您的回复，很奇怪FAB给我的VDD-GND方案是GDPMOS的clapm，但是6V的GDPMOS的vtr，vh，泄放电流时的电压都在12V以上，这样6V系统不挂了嘛

蓝风紫心 · 发表于 2015-10-23 11:31:43

vdd 与GND之间用的是NMOS,ggnmos

semico_ljj · 发表于 2015-10-23 11:42:56

ESD?!

追风的孩子 · 发表于 2015-10-23 18:42:19

回复 6# semico_ljj

恩，是的。

追风的孩子 · 发表于 2015-10-23 22:17:09

回复 5# 蓝风紫心

对啊，我也觉得用GCNMOS或者GGNMOS，可能FAB弄错，我再q确认一下。顺便问一下您，GGNMOS和GCNMOS做clamp有什么区别呢，性能上？

蓝风紫心 · 发表于 2015-10-24 16:05:29

回复 8# 追风的孩子

GCNMOS比GGNMOS性能上好很多，前者触发电压低，与后者有相同的会跳电压，而且导通均匀，能够让管子绝大部分都导通，能够快速的泄放ESD，而后者触发电压高，有可能只有部分管子导通，其余的没办法导通，所以导通不均匀。

semico_ljj · 发表于 2015-10-24 20:43:34

回复 9# 蓝风紫心

NMOS开启比PMOS麻烦，会比较集中，容易烧坏！

PMOS的ESD相对没有这些问题

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[求助] GDPMOS是怎样结构？就是GS的短接的PMOS吗？能用来做电源和地之间的clamp吗？