怎么利用NMOS开关传输高电平

菲英999 · 发表于 2015-10-22 16:46:16

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请问各位，在不采用传输门传输高电平的情况下，单纯用NMOS构成逻辑门电路，怎么传输高电平？求指教，谢谢

fengtang2332 · 发表于 2015-10-22 16:59:38

本帖最后由 fengtang2332 于 2015-10-22 17:01 编辑

适当提高控制nmos 栅端的高电压，能让信号完整通过就行了。
同时注意栅上的击穿电压。

菲英999 · 发表于 2015-10-22 17:07:38

回复 2# fengtang2332

我现在让NMOS栅端电压和漏断电压都是VDD=2V，衬底接0V,但是源端电压只有1.6V。如果把源和衬底接一起，源端电压有1.9V。请问是什么原因? 如果不把源和衬底连接，还有其他办法吗？谢谢啦

languang1200 · 发表于 2015-10-23 09:03:52

回复 3# 菲英999

体效应。
没什么太好的办法，如果工艺提供耗尽型管可以试试。

fengtang2332 · 发表于 2015-10-23 09:53:37

回复 3# 菲英999

按照你的说法，需要把nmos栅电压boost上去，大于电源电压，
但是也要考虑到这个加在栅上的vboost能够让nmos正常工作，不发生击穿现象。

具体原理可以在坛子里搜索 "bootstrapping"。

希望可以帮到你，谢谢。

菲英999 · 发表于 2015-10-23 11:00:57

回复 4# languang1200

恩恩，请问下耗尽型管子在工艺库里面怎么找呢?还有你听说过自然管吗？好像是零阈值的管子，但是不知道怎么找。

菲英999 · 发表于 2015-10-23 11:03:02

回复 5# fengtang2332

很感谢您的指导，现在栅端电压接的是数字信号，这个电路VDD=2V，所以可能需要一些特殊的管子才能实现，但是不太清楚什么管子可以用

fengtang2332 · 发表于 2015-10-26 11:34:27

回复 7# 菲英999

不需要特殊的管子。小于击穿电压就可以。

liuqingfeng2011 · 发表于 2020-12-15 15:45:17

想知道

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