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查看: 4310|回复: 8

[讨论] 怎么利用NMOS开关传输高电平

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发表于 2015-10-22 16:46:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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请问各位,在不采用传输门传输高电平的情况下,单纯用NMOS构成逻辑门电路,怎么传输高电平?求指教,谢谢
发表于 2015-10-22 16:59:38 | 显示全部楼层
本帖最后由 fengtang2332 于 2015-10-22 17:01 编辑

适当提高 控制nmos 栅端的高电压,能让信号完整通过就行了。
同时注意栅上的击穿电压。
 楼主| 发表于 2015-10-22 17:07:38 | 显示全部楼层
回复 2# fengtang2332


   我现在让NMOS栅端电压和漏断电压都是VDD=2V,衬底接0V,但是源端电压只有1.6V。 如果把源和衬底接一起,源端电压有1.9V。请问是什么原因? 如果不把源和衬底连接,还有其他办法吗? 谢谢啦
发表于 2015-10-23 09:03:52 | 显示全部楼层
回复 3# 菲英999


    体效应。
没什么太好的办法,如果工艺提供耗尽型管可以试试。
发表于 2015-10-23 09:53:37 | 显示全部楼层
回复 3# 菲英999


    按照你的说法,需要把nmos栅电压boost上去,大于电源电压,
但是也要考虑到这个加在栅上的vboost能够让nmos正常工作,不发生击穿现象。

具体原理可以在坛子里搜索 "bootstrapping"。

希望可以帮到你,谢谢。
 楼主| 发表于 2015-10-23 11:00:57 | 显示全部楼层
回复 4# languang1200


   恩恩,请问下耗尽型管子在工艺库里面怎么找呢?还有你听说过自然管吗?好像是零阈值的管子,但是不知道怎么找。
 楼主| 发表于 2015-10-23 11:03:02 | 显示全部楼层
回复 5# fengtang2332


   很感谢您的指导,现在栅端电压接的是数字信号,这个电路VDD=2V,所以可能需要一些特殊的管子才能实现,但是不太清楚什么管子可以用
发表于 2015-10-26 11:34:27 | 显示全部楼层
回复 7# 菲英999


    不需要特殊的管子。小于击穿电压就可以。
发表于 2020-12-15 15:45:17 | 显示全部楼层
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