求教天线效应中的疑惑！！！

ptadx · 发表于 2012-8-7 11:40:26

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今天看天线效应是，看到这么一句话：“如果metal接到diffusion时，极少会产生静电破坏，因为diffusion可以卸掉静电，所以top metal一般不用考虑天线效应的问题（基本上每条top metal都会接到diffusion上）”

请问：为什么说：基本上每条top metal都会接到diffusion上。完全想不明白，顶层金属为什么就要连接到扩散区啊？？？说底层还可以接受。

question23 · 发表于 2012-8-7 12:08:45

回复 1# ptadx

制造时候一层层做的，在底层金属制造时候可能断开，没有联接到OD。制造顶层时候一定会通过via连接到OD，这是一个顺序过程。

ptadx · 发表于 2012-8-7 15:27:06

回复 2# question23

哦，明白了，恍然大悟啊，谢谢！！！！

ptadx · 发表于 2012-8-7 15:27:32

回复 2# question23

哦，明白了，恍然大悟啊，谢谢！！！！

自学成菜 · 发表于 2012-8-14 20:12:09

光然大悟，不过天线效应是只考虑栅极不考虑漏极的

蓝风紫心 · 发表于 2015-9-23 14:29:01

回复 2# question23

这里我有个疑问，只能说一般情况下，top metal是不会有天线效应的，但是不能绝对的说，top metal层全部是连接到active层的。比如，有时候，你只有2层metal ,top metal连接的时候很多地方是不会连接到active的，有时候是gate与gate之间要连接的！

xiuqi180 · 发表于 2015-9-29 09:11:59

学习了。。。。。。。

工大葫芦娃 · 发表于 2015-10-12 17:14:12

回复 2# question23

我还是没搞懂，请问能详细解释下吗？OD层是什么？

question23 · 发表于 2015-10-12 21:31:37

回复 8# 工大葫芦娃

有源区接衬底，电流可以由此传到到衬底；gate与衬底绝缘，电流无处可去。

amy_123 · 发表于 2015-10-13 10:24:15

回复 6# 蓝风紫心
我的理解，最终还是会接到active的，除非是gate悬空。而且天线是每层时聚集，比如刻蚀metal1时，满足规则，不会antenna,那到metal2（你举的例子是top metal）时，只要gate不悬空，肯定是能接到active的。我目前做的工艺确实比较奇怪，top metal只要直接接gate或mim时，都必须接diode，否则antenna就有错。top metal在rule中面积比是0.

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