急！如何用低压器件产生一个可以耐高压的电容？

fightshan · 发表于 2015-9-10 09:29:09

我也遇到一个问题有个charge pump里面要用到MOS电容做boost 但是自举完了之后栅极相对衬底压差超过了标准VDD的两倍不知道有没有问题反正仿真没提示错误·······

jimipage · 发表于 2015-9-10 10:01:17

回复 8# hszgl

我只有薄栅氧

hszgl · 发表于 2015-9-10 12:57:30

回复 11# fightshan

要有bv参数才会提示错误，如果模型里没有就不提示。而且貌似这是spectre才有的功能，hspice里没有。

jimipage · 发表于 2015-9-10 12:59:50

回复 13# hszgl

HSPICE也有，warn=1即可！

hszgl · 发表于 2015-9-10 13:00:47

回复 14# jimipage

哦，看来我hspice用的水平还比较低。

fuyibin · 发表于 2015-9-10 14:08:30

我也遇到一个问题有个charge pump里面要用到MOS电容做boost 但是自举完了之后栅极相对衬底压差超过了标准 ...
fightshan 发表于 2015-9-10 09:29

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自举一般是没有问题的，这个两倍电压是加在栅到衬底，gate oxide下方是沟道，电位由source/drain决定，沟道下方有个耗尽层。耗尽层下方才是substrate，所以基本上有一般电压有耗尽层抗了，没问题

ruinsnku · 发表于 2015-9-10 14:19:25

回复 11# fightshan

这种用fringe电容比较好吧，用mos电容去扛这个电压容易影响电路寿命

fightshan · 发表于 2015-9-10 15:06:26

回复 fightshan

要有bv参数才会提示错误，如果模型里没有就不提示。而且貌似这是spectre才有的功 ...
hszgl 发表于 2015-9-10 12:57

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我就用的spectre bv参数是什么我菜鸟不太了解啊

jamesccp · 发表于 2015-9-10 15:21:31

回复 17# ruinsnku

同意，用fringe 电容，耐压距离可用 SO2的击穿电压计算

hszgl · 发表于 2015-9-10 15:34:18

回复 18# fightshan

breakdown Voltage啊，具体从哪里看我也不知道。。。但是有这个参数仿真的时候就会提示。

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