请教DDR3接口上PZQ外接电阻问题

tttt1111tt · 发表于 2015-8-21 14:48:56

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DDR3的PZQ要求外接240+-1%欧姆的电阻. 对于要求这么精确的一个电阻，在片上和封装或板级设计的时候，对PZQ端的连线有什么特别的要求吗？
假设没有特别要求的话，那么如果在ZQ pin和240欧姆外接电阻直接存在一个不可忽略的电阻，其对设计效果有没有什么影响？如果有或者没有影响，其原理是什么？
先谢谢了！

下图左边是理想情况，右边是实际情况。
ZQ电阻示意图.jpg

tttt1111tt · 发表于 2015-8-24 12:47:25

回复 1# tttt1111tt

有没有ddr3大牛来解惑阿

woodhorse · 发表于 2015-8-26 10:48:05

在工程上没有必要使用这么精度高的电阻。

tttt1111tt · 发表于 2015-9-8 15:52:49

回复 3# woodhorse

感谢作答,最近没来,所以回复的晚了.
这个240电阻的精度要求是来自于IP手册, 所以我的意思是有没有办法满足,或保证设计的结果是满足的?
可能IP手册的要求是高了,但是工程师也不能擅自就忽略这个要求阿.

woodhorse · 发表于 2015-9-17 14:24:55

校准的目的是为了实现阻抗匹配，减少信号完整性问题。信号完整性不是0/1非些即彼的。信号完整性裕量与电源波动裕量，时序裕量之间有相互影响的关系。如果时序裕量大，完全可以减少信号完整性的裕量。
所以工程要综合系统的要求合理分配各部分的设计裕量，不能照搬要求。这容易overdesign。当然如果不要考虑成本因素的场合就无所谓了。
保证设计的方法无非是系统分析，仿真和原型验证了。

honejing · 发表于 2015-10-26 16:37:19

ZQ pin 的 240欧姆是為了校正片上的驅動級輸出阻抗及 ODT 的阻抗。
外接 240 Ohm 1%的電阻，會比片上的電阻精確的多，所以拿它來當
基準，若是你接一個不精確的電阻，那校正後的輸出阻抗就不準，比如
你原先設定輸出阻抗為 40 歐姆，實際就不是 40 歐姆，那會引起一些
信號反射等信號不完整的問題。

pndc4089 · 发表于 2015-10-30 22:42:17

先来占位围观，求大神来解决。

baihao198789 · 发表于 2015-11-23 20:53:23

围观学习！

lv08 · 发表于 2015-11-25 15:04:02

同意5，6楼！！！

seesea11 · 发表于 2015-11-26 18:55:12

围观学习！

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