RF MOS layout 问题

zldl0319 · 发表于 2015-8-5 17:13:44

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RF PMOS layout

这是TSMC40 RF PMOS 的版图示意图，看不懂最下面的deep nwell 是干什么的，有哪位大神指导一下，感激不尽！！

huishenggu · 发表于 2015-8-5 18:59:21

PMOS deepnwell可有可无
一般deepnwell工艺是相对N腔而言，用于P+抄底防止基板short

shkao0201 · 发表于 2015-8-6 10:12:32

增強junction isolation

leshi · 发表于 2015-8-6 15:16:38

隔离。屏蔽。

Rucas · 发表于 2015-8-6 17:09:05

貌似这个地方的DN没什么作用

heruizhou · 发表于 2015-8-7 16:35:37

DNW 可以起到隔离psub的作用；作用和psub2类似；只不过psub2是虚拟隔离，dnw是物理真实隔离；
形象的说法：无dnw的工艺，整个psub是相连的，犹如地表，如果此时围上一圈NW ring，就是类似于挖了一圈壕沟，NW围起来的区域表面上和外部被壕沟隔断了（底下都是地球还是相连的）；此时再加入DNW，相当于壕沟底部再挖个平面，这时候这块区域就彻底独立出来了；

icfbicfb · 发表于 2015-8-7 17:52:52

很形象，说的很好

wbautumn · 发表于 2015-8-11 11:33:11

回复 6# heruizhou

说的很形象具体，学习了。

zldl0319 · 发表于 2015-8-11 13:54:45

回复 6# heruizhou
非常感谢您的指导！但是我还有一个疑问就是如果dnw的作用是隔离psub和nw，那么直观上dnw的面积应该比nw大才对，为什么版图上看dnw面积小于nw面积，这不就等于只隔离了一部分吗？
另外还有一个问题请教您，就是如果rfmos在外加guard ring的话，那么guard ring是需要加电位呢，还是直接接地？如果需要加电位那么是要在GSG pad旁边再加一个直流pad吗？

heruizhou · 发表于 2015-8-11 16:14:11

回复 9# zldl0319

您的理解还是不太正确：dnw的作用是隔离psub，并非nw；nw和nw 之间本来就是不相连的，并不需要额外做隔离（实际layout中我们会再用p ring来隔离是为了强化隔离这件事情）；psub默认是和wafer衬底相连的，用nw隔离效果并不是很好，底部还是相连，然后才会引入dnw的概念；随手画的一张图O(∩_∩)O

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