在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4987|回复: 5

[讨论] 相同尺寸与相同栅源电压的NMOS管和PMOS管的电流不是三倍关系么?

[复制链接]
发表于 2015-5-12 14:37:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
10资产
相同宽长比,Vgs绝对值相同的NMOS和PMOS管的电流之间的关系不是应该大概是三倍的关系么?但是为什么我仿真IV曲线中保证Vgs的绝对值为0.805V时NMOS和PMOS的Id随Vds的变化情况分别如下两图所示:

                               
登录/注册后可看大图


                               
登录/注册后可看大图

什么情况?是不是我理解有误了?请求大神解答。。。。。。

NMOS

NMOS

PMOS

PMOS
NMOS.png
 楼主| 发表于 2015-5-12 14:39:10 | 显示全部楼层

                               
登录/注册后可看大图
PMOS.png
 楼主| 发表于 2015-5-12 14:40:08 | 显示全部楼层
回复 1# yinshuqian


   

                               
登录/注册后可看大图
这个是PMOS的
PMOS.png
发表于 2015-5-12 16:14:46 | 显示全部楼层
工艺不一样,就不一定吧,而且n与p管的阈值电压差距有可能比较大
发表于 2015-5-12 16:26:38 | 显示全部楼层
一个是工艺,一个是VTH变化。而且你跑的是单管的。当在复杂电路中,VTH会发生更多的变化。
发表于 2015-5-12 16:53:01 | 显示全部楼层
可否將simulation netlist po上 這樣比較方便分析
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-25 01:10 , Processed in 0.018822 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表