有多个电源和地的ESD测试问题

ailian_0001 · 发表于 2015-3-31 10:58:15

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在芯片中，有1.8伏的内部数字电源地和模拟电源地，在端口处还有3.3伏的电源和地，针对这种有多个电源和地，怎样进行ESD测试，麻烦抽时间回答

ailian_0001 · 发表于 2015-3-31 11:04:36

在芯片中，进行ESD设计时，在端口到地的通路上遇到了通过串联两个3.3伏的NMOS到达端口耐5伏的要求，这种结构它的ESD放电的工作原理是怎样的？

albertyin · 发表于 2015-3-31 14:58:13

依ESD测试规范, 如果芯片内部各个电源, 各个地之间没有连接, 应作为单独电源/地测试.
如果有连接(且电阻小于2ohm), 测试时可以作为同一组电源/地进行测试.

albertyin · 发表于 2015-3-31 15:01:13

用两个3.3v MOS串联达到5V耐压, 这个只是为了耐压.
对ESD来讲, 可以用类似沟道长度加倍来考虑, 即snapback电压高于单个MOS.

crazyboy · 发表于 2015-4-1 22:19:06

回复 4# albertyin

如果目的单单是为了提高snapback 电压，为什么不单管加长L，这样不是更加容易省面积吗？会不会BV不够，为了加大BV。

albertyin · 发表于 2015-4-2 16:12:14

3.3v器件的Vgs和Vds breakdown都要考虑.

icfbicfb · 发表于 2015-4-9 13:24:55

不同的电源，地都要互相zap做测试的

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