片内LDO碰到的一个问题

sekong179 · 发表于 2015-2-27 16:37:19

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请教个问题：
我做了一个片内ldo，从3.3v转道3v，作为电路中数字部分的电源，数字电路部分不多，频率10M以内，其间有分频等，数字部分直流仿真的时候，电流大概1.2mA，连起来仿真的时候，发现3v电压有比较大幅度的纹波，幅度大概在2.9v~3.17v左右，3v输出电压的电容大概为50pF

怎么减少该纹波，还有该纹波是否会影响数字电路的噪声。

sea11038 · 发表于 2015-2-27 21:16:46

减小负载调整率，提高负载瞬态响应性能。片内的话，一般能做的就是增加LDO的增益和带宽，加入提高负载瞬态响应的结构吧。影不影响后续电路要看具体情况

semico_ljj · 发表于 2015-2-27 21:55:28

回复 1# sekong179

提高响应能力，和负载能力

sekong179 · 发表于 2015-2-28 10:14:25

回复 3# semico_ljj

谢谢！

freeman_liu · 发表于 2015-2-28 10:33:16

简单的话就是加点负载电容

sekong179 · 发表于 2015-2-28 10:52:17

回复 2# sea11038

谢谢！
提高瞬态响应的结构，麻烦给我推荐一个简单实用的，是指软启动电路吗？

sekong179 · 发表于 2015-2-28 11:51:01

回复 5# freeman_liu

是片内的，又能够加多少电容啊，如果没有合适的选择就尽可能多加电容吧

sea11038 · 发表于 2015-2-28 12:25:48

以前下的一些论文和资料，供参考吧

改善LDO瞬态响应部分资料.rar (4.01 MB , 下载次数: 343 )

sekong179 · 发表于 2015-2-28 15:28:59

回复 8# sea11038

非常感谢了！！！

bright_pan · 发表于 2015-2-28 15:38:42

有那种动态current sense结构的LDO，输出负载大时EA OP的bias电流也比较大，可能适合你。总之，无非就是加大带宽和响应时间，或者增大电容。

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