关于STI的问题

analogg · 发表于 2015-1-3 11:15:56

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我们知道工艺里面，打WELL之前先要做STI隔离。那么问题就来了，STI挖洞的时候，是用哪一道MASK呢？这样要单独给一道MASK吗？还是用哪道MASK计算一下来得到啊？
最近脑子有点痒，想把一些问题搞清楚一点，不好意思烦劳大家了。
可以都来讨论一下。

analogg · 发表于 2015-1-3 12:06:04

我自己的理解，不知道对不对。
STI区域就是OXIDE区域取反运算得到的？

fuyibin · 发表于 2015-1-3 14:22:03

STI跟WEll没有关系，是od mask 的反板，不需要额外的mask

analogg · 发表于 2015-1-3 14:43:06

回复 3# fuyibin

谢谢回复！还有一个问题，也没搞太明白。
举个例子，在TSMC 0.35UM的工艺中，有两种器件3V和5V的MOS,thin OX和thick OX分别对应的MASK是OD和OD2.看他们的design rule, OD和OD2 的tone都是dark.
CMOS的工艺一般是这样，先整个active区生长一定厚度的OX,然后将3V的区域的OX全部去除，再一起回炉长OX的到目标值。
我的问题是，既然OD 和OD2都是dark的，也就是不透光的区域，那么长OX的时候，中间步骤是要把OD的区域定义出来蚀刻掉的，按道理又应该是透光的啊？应该是clear才对？
简而言之一句话，OD和OD2为什么是dark的，不是clear?

analogg · 发表于 2015-1-3 14:45:41

回复 4# analogg

上面的问题，体现在版图上就是，3V和5V的MOS，分别花了OD和OD2 layer.从这个角度讲，好像也应该是clear的。
这个问题困惑了

fuyibin · 发表于 2015-1-3 20:22:21

要搞明白的是制程第一步就是用 od mask来确定 active 区域和sti 区域，不是active od的区域都是要做sti的。所以第一步光照就是把od 区域盖住，把剩下的silicon挖掉，回填sio2做出sti。

年华淡了 · 发表于 2016-3-26 16:04:05

thanks for sharing

zs1647 · 发表于 2020-11-19 10:23:09

学习了多谢

hadeheng · 发表于 2020-11-19 19:26:39

有大佬来解答不呢

floraysu · 发表于 2022-8-11 09:38:31

谢谢分享

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