看了一个关于pad的帖子想到的问题

ljjbunny

http://bbs.eetop.cn/thread-367522-2-1.html

其实我想说的和这个没太大关系，只是让我想起来了我曾经做的一个项目
大家都知道IO是提供ESD保护的，电源是通过pad，经过IO然后给core供电的，但是当时那个项目为了增加电源强度，直接从pad的焊点用AL层直接连到core区域的power上，也就是跳过了IO的ESD保护，那这样的话ESD不是失效了吗？不过项目回片测试好像没发现什么问题，希望就这个问题大家讨论讨论。

kopzinc

回复 1# ljjbunny


   回来测试啥没问题？功能还是ESD hbm 2kv？看你这描述不太可能过hbm吧 ---

ljjbunny

回复 2# kopzinc


    应该是功能，具体我也不知道，只知道测试那边说没问题，那个项目不是量产的，可能就只测下功能

icfbicfb

要esd测试过好吧， 平常的测试哪里能测出来的，

kopzinc

回复 3# ljjbunny


  基本上芯片不带esd都自带hbm 500V左右 --- 更别说esd造成的芯片性能隐形损害比如漏电增大等，你只测功能能测出个啥---

ljjbunny

回复 5# kopzinc


    是别个测的，具体测了些什么我也不知道，我想问的是这么做是不是不行

ljjbunny

回复 4# icfbicfb


    是测试的部门测的，反正他们说测试没问题，具体测了些什么我也不知道，我想问的是这么做是不是很不安全，就算没测，在制造和封装的时候，如果没有ESD保护，应该也会对芯片造成损害把？

ljjbunny

回复  ljjbunny


  基本上芯片不带esd都自带hbm 500V左右 --- 更别说esd造成的芯片性能隐形损害比如漏 ...
kopzinc 发表于 2014-12-4 15:55

                               
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    关键这个不是量产，只作为研究用途，项目主要是为了看功能是否能实现，你说芯片不带esd 就自带hbm 500v就是说制造和封装时的静电，芯片还是承受的起的是吗？但是如果说是量产的就不能这么做是吗？

kopzinc

回复 8# ljjbunny


   量产能否这么做还是要看测试结果，没看具体的电路结构，不过听起来很悬，vdd-vss这个测试pattern很难过去。

icfbicfb

尽量别这样，  那岂不是power pad还不如一块金属？