在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
楼主: alicez719

[求助] 请大家帮忙总结下关于时序和congestion 的优化方法

[复制链接]
发表于 2014-7-6 23:16:53 | 显示全部楼层
回复 10# icfbicfb
版主大神
发表于 2014-11-20 12:52:44 | 显示全部楼层
回复 10# icfbicfb
版主大人,第3步中的设置局部blockagepartial density control
和第5步中的memory区域等打上softblockage

具体怎么操作呢,或者相关命令 说一下吧 多谢啦
发表于 2014-11-20 21:35:13 | 显示全部楼层
回复 12# 522526tl


   enc的话,直接在floorplan视图里点createplacementblockage的按钮画就行,需要什么类型的(soft、partial、hard)改改blockage属性就行了,当然用命令也可以,不过还要计算坐标,麻烦。
发表于 2014-11-20 21:44:05 | 显示全部楼层
回复 13# zhichuren
哦 找到了 多谢啦
发表于 2014-11-21 16:17:07 | 显示全部楼层
回复 1# alicez719


   1)阻塞在RAM(macro)之间:可能RAM之间的距离没有计算正确,可以加大RAM之间的间距;扭转RAM的方向,使得RAM的IOpin朝向更容易走线的那边;如果是多个RAM共用地址或者数据线,尽量把RAM的地址数据pin对齐


2)阻塞出现在RAM和帮助单元交界的地方:在RAM周围加一条halo(keepout);把RAM放在四周,尽量把中间留下的空间变成方形;在有阻塞的地方加一些由小的placementblockage组成的矩阵

3)阻塞出现在标准单元的某一块:也可以加一些由小的placement blockage组成的矩阵;module/instancepadding;利用placement guide减少那块地方的标准单元个数;scan chainreordering也会改善一些阻塞;定义density上限;使用congestiondriven的placement,并且要求place之后做congestion优化;在综合是禁止使用那些pin太多太密集的标准单元(多半是那些复杂的组合逻辑单元);请前端使用RAM代替触发器矩阵;请前端修改算法

4)应该尽量减少power

route占有的资源,谨慎选择powermesh使用的金属层,VIA的大小等。在detail route完成之后,你如果已经试了各种解决signalcongestion的方法,还有少量DRC无法解决时,可以考虑切掉部分power mesh

发表于 2016-7-21 22:08:40 | 显示全部楼层
markyixia,tongjinbu
发表于 2016-10-11 16:34:47 | 显示全部楼层
多谢各位大牛的总结
发表于 2018-3-19 11:50:16 | 显示全部楼层
感謝分享   大推   謝謝  thx
发表于 2018-5-13 22:23:50 | 显示全部楼层
good answer
发表于 2021-8-23 10:28:43 | 显示全部楼层
学习了!!!
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-29 12:16 , Processed in 0.021608 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表