为什么Vsb>0引发背栅效应，而不考虑Vdb引发的体效应呢

xinleiye · 发表于 2014-11-18 21:12:37

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本帖最后由 xinleiye 于 2014-11-26 17:21 编辑

Vsb>0,使得栅下耗尽层宽度增加，阈值电压增大，Vdb>0,应该跟Vsb>0引起的效应一样啊，为什么不考虑

weidebo · 发表于 2014-11-18 22:53:00

帮顶一下！

fightshan · 发表于 2014-11-19 11:43:13

因为漏端电压本来就是比源端电压大，体效应的产生是考虑源漏中电位更小的一个比sub电位高时产生的额外的对沟道的影响。

xinleiye · 发表于 2014-11-19 14:37:56

回复 3# fightshan
书上说的是Vth针对的是源端计算的，实际漏端的Vth由于体效应的影响也是增大的，但是不知道什么原因使得增大的这部分不考虑

fightshan · 发表于 2014-11-19 15:17:32

回复 4# xinleiye

什么书上讲到“漏端的Vth”？Vth的定义是表面反型电子浓度达到体内多子浓度时的栅极电压，但是实际应用中源漏之间电位是逐渐变化的，半导体表面势本来就不是平均分布的，严格的说从漏到源每一处达到强反型时对栅极电压的要求都不一样，那么对于你所说的体效应，不仅漏端，整个沟道各处都对“体效应“有影响，按照我的理解，体效应在VGS=0时不存在，只有VGS大于0时才需要考虑体效应。

wp8804 · 发表于 2014-11-19 16:06:27

第一：源漏是可以互换，源定义为提供载流子，漏定义为收集载流子。以NMOS为例的话Vd>Vs
第二：阈值电压的定义是栅下形成反型层时对应的电压值。
以NMOS为例，源端电位最较低，最容易反型，一旦Vgs>Vth栅下就会形成反型层，认为MOS开启了，所以只考虑源端。
至于你说的漏端Vth，在饱和区的话，个人认为你也可以认为是Vdb较大增加了漏端的Vth导致漏端关断。
同楼上的说的“严格的说从漏到源每一处达到强反型时对栅极电压的要求都不一样，那么对于你所说的体效应，不仅漏端”，所以我认为你还按照栅下是否形成反型层为标准的好。