eflash控制器设计问题求助

courageheart

前提：1、eflash的program（write）操作只能将“1”替换成“0”，而不能对“0”进行处理，所以在program操作之前需要对eflash先进行erase（擦除），即将“0”替换成“1”；        2、用于控制的外设备eflash只有macro和page erase模式，没有block erase模式。

问题来了：每次program之前要么进行macro erase，要么进行page erase，但是，我只想对eflash进行一个字的写操作，如果简单进行macro/page erase操作，那么eflash里其他空间的数据就会丢失。

目前的做法：增加一个buffer，在每次erase操作之前将eflash的数据读取到buffer，但这样做的效果不好，增加写操作的时间，即每次写操作之前要增加读操作和erase操作，同时也增加了芯片的面积。

求各路朋友帮忙提个建议，如何更好处理blcok write operation！

chengroc

为什么不把“字节更改”的操作交给固件去做呢，时间上虽然长了一点点，但可以利用系统中的数据ram作为page数据缓存

Shanxiby

没有好方法，只能采用buffer处理，你可以设置buffer大小为一个page，等buffer满时，再写入flash，这样就可以省去读操作。

courageheart

回复 2# chengroc
首先谢谢你的回复！之前没有做过系统项目的经验，所以没有注意到！跟其他组讨论后，才知道有专门针对eflash操作的固件，所以我只需要提供独立的四个操作就OK！

courageheart

回复 3# Shanxiby
谢谢！目前做法：操作顺序（流程）交给软件处理。