电流检测电路

math123 · 发表于 2014-8-27 14:15:03

linear的有些dc-dc芯片，用功率管电源走线的寄生电阻做开关电流采样电阻，和你这个是异曲同工啊，
fhyfbjl 发表于 2014-8-26 23:07

登录/注册后可看大图

想请教下，VCCP和VCC分开bond，VCCP流过大电流，VCC流过小电流，这样就可以通过检测VCCP和VCC得到压差，linear的做法是这样，对吧？

math123 · 发表于 2014-8-27 14:19:04

可看下封装厂的bonding spec里面有没标出电阻参数变化范围

fhyfbjl · 发表于 2014-8-27 21:09:24

本帖最后由 fhyfbjl 于 2014-8-27 21:11 编辑

回复 12# math123

bonding没有分开，只是功率管电源线形似倒放的梯形，梯形上底下底电压差就是电流采样信号，如下图；所以采样电阻就是梯形金属线左右两端之间的寄生电阻，

math123 · 发表于 2014-8-27 22:01:43

本帖最后由 math123 于 2014-8-28 12:07 编辑

回复 14# fhyfbjl

是这样啊

，看了一个工艺的spec，顶层厚金属的电阻变化为10%，不过温度系数为4000PPM，比一般1k poly电阻的600PPM大得多

百度了下，铝和铜的温度系数都是4000PPM，也就是在-40 125的温度范围内变化正负35%

lwjee · 发表于 2014-8-28 13:54:13

回复 14# fhyfbjl

是检测片内金属电阻上的压降，还是bounding wire上的？

fhyfbjl · 发表于 2014-8-28 14:11:33

金属走线上的，

suifengpiaoyang · 发表于 2014-11-7 10:44:23

回复 13# fhyfbjl

早点看你这帖子就好了，当初找芯片里的采样电阻找了好几周
话说最终你们逆了？也是用金属电阻做采样么？

wyliuse · 发表于 2014-11-7 11:19:05

linear的看过，自己的晶圆厂温度系数、精度什么的自己说了算，还有trim。
靠bongding去检测，精度掌握在封装厂手上，固晶、bongding弧度、金属融合度及落点引线均匀度等等都影响。可以去试试，试出来了跟大伙分享吧。

zyw543716900 · 发表于 2016-6-2 08:36:30

回复 18# wyliuse

have a look

athena_xin · 发表于 2018-5-1 22:03:21

用电阻来采样的话是不是功耗比较大？

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