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[求助] LDO的调准MOS管一定需要工作在饱和区吗?

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发表于 2014-10-27 22:41:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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LDO的调准管一定需要工作在饱和区吗?
用MOS管的话,饱和区?
用三极管的话,放大区?
发表于 2014-10-27 23:51:45 | 显示全部楼层
不一定,轻载和重载时也有可能分别工作在弱反型区和线性区,也可以设计都工作在饱和区,视情况而定
发表于 2014-10-28 09:43:44 | 显示全部楼层
最好保证在饱和区和亚阈值区,线性区的话也能用,不过性能掉的会比较厉害
发表于 2014-10-28 14:24:54 | 显示全部楼层
例如重载100mA,轻载100uA当然会进入亚阈值区
发表于 2014-10-28 19:42:48 | 显示全部楼层
必然要看负载,抛开负载谈都是虚的
发表于 2014-10-28 21:54:48 | 显示全部楼层
LDO 需要看主要工作在什么电流条件下,才能讨论 psrr以及饱和区等问题
 楼主| 发表于 2014-10-30 21:40:54 | 显示全部楼层
回复 6# semico_ljj


    首先确认一点:
     我说的MOS管的饱和区是:漏电流不随VDS电压变化而变化的那个区域。
     我感觉很多人没有严格区分这个区的命名。有说线形 区 的,有说放大区 的,有说饱和区的。

     其次,我这个调准管用的是PMOS,输入VIN范围6-60V,输出5V。如果GS间电压最大只能5V的话,再如果VTH是1V的话,VIN>=9V的话,PMOS一定在饱和区。

     再者,我的输出范围是30uA-30mA。

     所以,你说的“LDO 需要看主要工作在什么电流条件下,才能讨论 psrr以及饱和区等问题“,该怎么说?
发表于 2014-10-31 09:42:14 | 显示全部楼层
回复 7# jimipage

如果范围在30uA-30mA 看你的W/L 尺寸和 你的功率管栅电压可以变化的范围。 我觉得可以设计成全范围基本是饱和区


但是如果是设计要求比如10uA--100mA甚至几百mA
那么就不一定了
发表于 2014-11-1 12:00:57 | 显示全部楼层
回复 7# jimipage


   1. 是你自己混淆了三极管和MOS管的工作区;对于MOS管,饱和区和线性区是不一样的;    2. 对于你说的PMOS管的LDO,一般做法是,为了做小RDSON,及满足大负载电流的需求,这个调整管宽敞比会设计的比较大,那么在小电流或者空载的时候,反馈就会将PMOS的VGS调小,大多数会小于阈值电压,这样调整管就会进入亚阈值区;
发表于 2015-5-14 20:02:14 | 显示全部楼层
学习中.....我的放大器5万倍,有管子还工作在线性区。
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