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查看: 5572|回复: 10

[求助] 使用BCD工艺的LDMOS做H桥的疑问

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发表于 2014-10-16 11:07:06 | 显示全部楼层 |阅读模式

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目前要使用BCD工艺做驱动电路的设计。我看了一些datesheet中他们在H桥的上面两个nmos管子使用了电荷泵的电路提高栅极电压,还有的是直接在H桥的电源上面加了电荷泵,对这种方法不是很理解。

如图

如图


但是目前我使用的BCD工艺中 VDS的耐压最高可以到40V, G的耐压为5V,(这个5V是否是最大耐压值)
那么我要怎么去设计H桥上面两个nmos管的栅极电压
发表于 2014-10-16 17:54:56 | 显示全部楼层
5V的耐压是栅到衬底,话说这个是薄氧化层的参数。
 楼主| 发表于 2014-10-21 16:04:58 | 显示全部楼层
回复 2# hszgl


   我看了一些文档里面的栅压可以达到20几V的耐压,这个是否是用厚氧的工艺做的
发表于 2014-10-21 18:34:55 | 显示全部楼层
回复 3# iboywade


    可能是。但我见到的厚氧耐压是80V
发表于 2014-10-21 19:52:18 | 显示全部楼层
回复 1# iboywade

5V差不多是最高了,再高不能超出20%
发表于 2014-10-24 19:12:29 | 显示全部楼层
好东西,值得拥有
发表于 2014-10-25 12:43:08 | 显示全部楼层
Vgs电压要限制在合适的范围内,对于H桥的high side两个nmos,只有使用charge pnmp来实现gate 驱动。一般会在gate和source之间加限压电路,最简单的加一个zener 。
发表于 2014-10-26 00:14:52 | 显示全部楼层
赞一个
 楼主| 发表于 2014-10-28 14:33:29 | 显示全部楼层
回复 7# fengluan


   那么这个限制Vgs的电压要求应该就是栅极的耐压水平吧~
发表于 2022-5-21 20:16:21 | 显示全部楼层
double 5V voltage
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