PMOS做开关用，NWELL浮空会有什么问题吗？

freecore · 发表于 2014-9-15 11:24:07

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只要Nwell耐压足够
semico_ljj 发表于 2014-9-15 11:21

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NWELL一般耐压都很高的

jamesccp · 发表于 2014-9-15 15:20:25

可以做简单追踪电路，S/D那边电压高，就用哪边

kwankwaner · 发表于 2014-9-15 15:50:49

回复 8# freecore

很多产品

freecore · 发表于 2014-9-15 16:20:18

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很多产品
kwankwaner 发表于 2014-9-15 15:50

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大侠多指教：这样做有什么弊端吗？或者有什么要注意的地方吗？

Error · 发表于 2014-9-16 13:21:14

MOS电阻会漂我流过片验证过

kwankwaner · 发表于 2014-9-16 14:00:49

回复 14# freecore

nwell作为背栅电位非恒定那么噪声会差,不过开关管不关心。注意版图四周ground多打点就ok了

freecore · 发表于 2014-9-16 14:44:02

MOS电阻会漂我流过片验证过
Error 发表于 2014-9-16 13:21

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相对于仿真得到的Ron会漂？

zjnzhou · 发表于 2014-9-16 20:32:59

latch up测试可能通不过吧。
off： gate=nwell=max(vcc, s, d)就可以

freecore · 发表于 2014-9-16 21:39:23

latch up测试可能通不过吧。
off： gate=nwell=max(vcc, s, d)就可以
zjnzhou 发表于 2014-9-16 20:32

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为什么latch up测试通不过？

superchildren · 发表于 2014-9-17 09:47:52

建议12楼的方法。有很多功率开关都是这样的。bulk浮空不是很好的选择吧。

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