带隙基准选用高阻的原因

zhiqiang3713 · 发表于 2013-9-6 01:19:43

回复 9# xjf20072608

bandgap-zkom.pdf (123.6 KB, 下载次数: 162 ) 我没记错的话这篇文章里有提到过可以看一下不过上面说高阻的影响可以忽略不计

hydan · 发表于 2014-1-17 22:25:31

也遇到了类似的问题。。。

semico_ljj · 发表于 2014-1-17 23:23:17

？？？

byd306 · 发表于 2014-2-18 11:29:15

也遇到了类似的问题。。。

semico_ljj · 发表于 2014-2-18 12:46:03

nicer

Cruise.lj · 发表于 2014-9-13 13:25:24

带隙基准源的设计中如果不考虑使用电阻做高阶的曲率补偿的话，一般都是采用高精度的大电阻，高精度是为了减小工艺角变化的时候电阻阻值的变化，同时减少寄生效应；而大电阻是为了减小面积。取具有负温度系数的电阻是因为在较高温度是具有负温度系数的电阻使支路电流变大，而BJT具有负温度系数于是Vbe随温度变化减小，当电流变大时可以减小Vbe变小的趋势，所以采用高阻值具有负温度系数的poly电阻不断可以减小模块的面积，同时还具有一定的高阶曲率补偿的作用

wswy · 发表于 2014-9-13 16:46:07

这就是为什么咱们学校发文章不被工业界待见原因。用高阻原因第一是面积第二是面积，第五第六才是温度系数。后者不过饭后甜点般

semico_ljj · 发表于 2014-9-14 00:06:14

seeing

Johnson2011 · 发表于 2014-9-15 11:36:06

回复 16# Cruise.lj

我们设计的bandgap 从来不用大电阻，电阻的阻值确实很大，但是都是采用最小的方块阻值的电阻。为什么？tc和vc小。

semico_ljj · 发表于 2014-9-15 12:34:57

电阻有影响，但是成本限制，就只能用高阻

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