对于不同foundry厂的相同工艺，有什么异同？

taohuachangkai

比如，同为1um的工艺，maxchip的和vanguard的有什么相同和区别？作为设计人员，肯定是希望制程对自己的设计越有利越好了，那么，除了了解device工作的极限电压值，Vth与W/L，corner的关系（device一致性？）外，更加重要或者必须知道的是什么知识点呢？新人，很迷茫，前辈们能否予以指点一二？

hszgl

不同foundry就不能成为相同工艺，只是特征线宽一样，其他参数几乎没有一样的。

taohuachangkai

回复 2# hszgl


  明白。我是想问，在设计某款芯片时，比如从出于成本角度考虑，特征线宽已经确定了。那对于相同线宽的不同foundry工艺，在确定应该采用谁家的过程中，那应该从哪几个方面入手呢？

hszgl

回复 3# taohuachangkai


    打电话给各家ce，问报价。。。

azeee

回复 3# taohuachangkai


    一般选哪家不是你能决定的，不过如果真能决定一般也选性价比不错的，比如台积电的工艺时很不错的，然而费用自然就高，这就和买东西差不多道理吧。

taohuachangkai

我真的很无奈   虽然作为一个新人这样说很不礼貌   可是我问的根本不是你们回答的呀   难道我问题表述的这么有问题？   那这样问：您在看两种相同线宽工艺的.lib文件的pdf（对各种器件说明）文档时，您主要关注两个pdf文档的哪些不同之处呢？

joshjosh

良率 , ESD performance , 甚至 design rule 都不同.

MOS 的 IV curve 雖然不同, 但是 不同 foundry 的tt corner 的差異可能小於同一工藝的 tt/ss tt/ff corner 的差異.   
如果只管 tt corner , 那大概把 ESD solution 換一換就好了.
但是如果你要調到所有 corner 都過, 電路要改的地方就多了.

semico_ljj

回复 3# taohuachangkai

其实还是价格决定一切。

hszgl

回复 6# taohuachangkai


    doc上看不出什么大的区别，只有很细节的数据比如u0的variation，金属密度的window，也没有那么明显的影响。主根据你的需求来看，比如耐压，工作温度，需要使用的器件（如zener cpip native_mos等等，有些foundry的工艺没有），功率大小（是否要用bicmos或bcd）。如果都差不多就比成本，良率（也是成本的一部分，这是个经验数据，问用过的人才靠谱。）很多时候其实是为了节约成本退而求其次，比如用moscap代替cpip。所以成本是主导因素。
    你还在学校吧，没有对比工艺的必要，老板说用啥就用啥。

semico_ljj

回复 10# hszgl

说得对，其实就是成本和具体操作起来有没有内部关系（熟人）