模拟电路中ESD问题请教各位大侠！

semi_bamboo

回复 5# math123


    你说的没错，PAD1正常工作时为-9V~22V，高于VDD（2~5V），所以需要此类ESD。

semi_bamboo

回复 7# hszgl


    你说的有道理，我们也曾尝试改变PAD1的电位，看VDD与VSS之间的漏电流，
结果发现漏电流与PAD1的电位没有关系。

semi_bamboo

回复 8# fuyibin


谢谢回复！     
电源VDD和VSS之间有CLAMP电路的（没有画出来），我们在对PAD1对VSS打正压2000V后，
会检查芯片所有的PIN脚的IV曲线，结果发现就只有VDD与VSS之间因漏电而使IV曲线不重合。
还有，我们单独对VDD相对VSS打正压2000V，也没有发现漏电问题。

BTW，PAD1对其正电源（另一个电源域VDH=10V，非VDD，VDH是里面升压电路产生的一个电压）打过
正压2000V和负压2000V，然后检查芯片所有的PIN脚的IV曲线，结果发现IV曲线都是OK的。PAD1对其正电源
的ESD保护也是OK的。

math123

回复  hszgl


    你说的有道理，我们也曾尝试改变PAD1的电位，看VDD与VSS之间的漏电流，
结果发现漏 ...
semi_bamboo 发表于 2014-7-15 13:43

                               
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PAD1上面本来就串联了500k电阻，所以无论PM1是否击穿，PAD1电压的改变都对VDD漏电流影响不大。

如果PAD1除图上电路外没其它对地的电流通道，那测漏电时候PAD1的悬空电位可能会知道PM1是否击穿

看器件的名称这个是TSMC的0.25u BCD工艺吧？ 图中接地的反向DIODE都是直接用的高压DIODE？是厂商提供的ESD器件吗？

semi_bamboo

回复 14# math123


    谢谢回复，我们回头在侧漏电流时测一下PAD1的电位
不是T的工艺（出于对公司保密的考虑，不方便透露Foundry厂，望谅解！ ）

semi_bamboo

回复 14# math123


    是的，因为分压原理，改变PAD1的电压不会显著改变PM1，NM1栅极上的电压

martin_sun

回复 15# semi_bamboo


    ESD电路里在电源与地之间有个东西叫 clamp trigger，你看下有没有这个电路。很多时候的这种情况都是这个电路没做好，一点被耦合触发就会有电源到地之间的漏电通路。

jiang_shuguo

回复  math123


    谢谢回复，我们回头在侧漏电流时测一下PAD1的电位
不是T的工艺（出于对公司保密的 ...
semi_bamboo 发表于 2014-7-15 14:09

                               
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    测pad1电压时，电表内阻一定要调高啊，感觉测出来的未必真实。

jiang_shuguo

回复  semi_bamboo


    ESD电路里在电源与地之间有个东西叫 clamp trigger，你看下有没有这个电路。很 ...
martin_sun 发表于 2014-7-15 14:21

                               
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    他这个不是你说的那种active clamp的ESD结构。与那个无关。

martin_sun

回复 19# jiang_shuguo


    看来版主对ESD很有研究，有个问题想问下： 用3.3V I/O 器件做的5V tolerance ESD，能做到HBM 多少伏？ 希望面积跟常规过8KV的面积一样大。能指导下吗？