为什么MOS电容在VGS为0时氧化层下仍有耗尽层？

fumes · 发表于 2014-6-28 20:06:42

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本帖最后由 fumes 于 2014-6-30 09:20 编辑

为什么MOS电容在VGS为0时氧化层下仍有耗尽层？

kwankwaner · 发表于 2014-6-30 09:05:30

因为是native管

fuyibin · 发表于 2014-6-30 10:04:42

有功函数差

gravediggaz · 发表于 2014-7-4 22:31:08

栅极多晶硅或金属与衬底Si的功函数差、Si/SiO2的界面电荷和界面态等导致。功函数差的来源是材料的费米能级差，费米能及衡量材料中的电子"活力"，两种材料中的电子“活力”不同，当短接两极时，更有“活力”的电子从一材料向另一材料扩散，并在扩走电子的位置留下正离子，则GOX对面的另一材料产生镜像电荷，于是产生空间电荷区。

icdane · 发表于 2014-7-4 23:54:24

work function

牛海领 · 发表于 2018-4-13 17:34:29

请问MOS管的耗尽层的沟道镜像电荷是什么意思呀？为什么耗尽层变大，耗尽层电荷变多？

hebut_wolf · 发表于 2018-4-15 09:47:57

回复 1# fumes

如果没有耗尽区cgb是不是等于0？

122013137 · 发表于 2018-4-15 20:59:12

费米能及衡量材料中的电子"活力"

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