基于CMOS基准设计的部分电路问题

xionghaian · 发表于 2014-5-21 20:00:05

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本帖最后由 xionghaian 于 2014-5-21 20:04 编辑

电路

基准电路改中Verf产生的电路部分上的最后一个PMOS不知道为什么它的电流不和前两个一致，而且他们的电流不是应该由下面的I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11, 得出与温度无关的电流，对应的求出R11与R7的比值，其中R7=R12。我仿真结果看这俩PMOS都在饱和区，为什么前两个没事，最后一个I3怎么不和前面相等？

xionghaian · 发表于 2014-5-21 20:00:43

望大神回复详细点

feynmancgz · 发表于 2014-5-21 20:36:23

你那两个PNP的base接哪呢？

SOMANY · 发表于 2014-5-22 09:19:46

本帖最后由 SOMANY 于 2014-5-22 09:30 编辑

很明显I3那个PMOS管工作在线性区，所以产生的电流不一样的！电阻R13太大了！

reca_recall · 发表于 2014-5-22 10:02:05

hardfu · 发表于 2014-5-22 10:21:02

把PMOS 的L都增大试试！

phase2000 · 发表于 2014-5-22 11:59:28

1) pnp base should be connect with ground
2) I3 Vds is different with I1 and I2.

lionlinok · 发表于 2014-5-22 12:06:03

1.保证管子都工作在饱和区。
2.镜像电流跟沟道调制效应有关，理论上只有VREF跟钳位运放输入点电压相等时，三路电流才相等。
为了尽量减小VDS对匹配的影响影响，建议可以增大L，或者采样cascode结构。

AcoAco · 发表于 2014-5-22 16:58:52

VDS调制效应导致电流是不同的。也正如已经提到确保双极基地接地。

xionghaian · 发表于 2014-5-23 10:30:55

回复 3# feynmancgz
我的偏置是给OP了，电流I=VBE/R7+(VBE1-VBE2)/R11 产生，这样不可以吗

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