有关带隙基准源的问题

kakawukong · 发表于 2014-5-8 22:45:26

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对基准源是小白，有没有大神和我详细讲解下原理和用Candence仿真电路的问题，能加QQ聊最好。先谢谢了

kakawukong · 发表于 2014-5-8 23:38:15

或者谁能解答下仿真的问题，就是用analoglib库的CMOS4和NMOS4和tsmc18rf库CMOS2V和NMOS2V有什么不同

kakawukong · 发表于 2014-5-9 11:23:47

求大神啊，真的很急

freecore · 发表于 2014-5-9 11:31:31

或者谁能解答下仿真的问题，就是用analoglib库的CMOS4和NMOS4和tsmc18rf库CMOS2V和NMOS2V有什么不同
kakawukong 发表于 2014-5-8 23:38

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analogLib里的器件是理想器件，4表示是4端器件。 tsmc的库里器件是比较接近实际的器件，2v应该表示1.8v器件。

fdwd_zhc · 发表于 2014-5-9 11:31:56

关于怎么用cadence仿真建议你还是看看教程，基本的bandgap电路看razavi或者allen书上的基本结构学习一下

kakawukong · 发表于 2014-5-9 12:40:46

回复 4# freecore

哦，再问下，我找了一个传统的教程上的无运放带隙基准源仿真试了下，如果原本的参数设置是P33，W=20U L=5U的PMOS改成PMOS2V的PCH会不会对电路造成影响。我用a工艺库里的CMOS4不能仿真，只能用t库的CMOS2V，但仿真得到的温度变化和瞬态特性都不符合结果。