DRC验证时，调用的存储器内部出现违例

stone101 · 发表于 2013-11-18 16:46:58

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在DRC验证时，发现调用的存储器内部出现违例，V3的size太大

请问这个违例跟ICC本身是无关的吧？？若要修复该违例，应该如何着手，存储器是其他人用memory compire生成的

damonzhao · 发表于 2013-11-18 17:52:28

回复 1# stone101

memory compiler重新生成下，top metal不要定义为m4，可以m5/m6/m7。。。均可。

stone101 · 发表于 2013-11-19 16:13:25

回复 2# damonzhao

哦，应该是，我这个设计用的6层工艺，但是存储器top层设在M4，但是现在我打开MC，发现只有一个M4的选项，top层不能选其他的，这个是什么问题呀

stone101 · 发表于 2013-11-19 17:16:43

回复 2# damonzhao

主要是 RFTP RFSP这两种存储器只能选最高M4~~

stone101 · 发表于 2013-11-19 17:25:31

回复 2# damonzhao

额，版大，我自己想通了呵呵，问题解决了，不太好表达，我这里就不写了

damonzhao · 发表于 2013-11-20 10:01:26

回复 5# stone101

哈哈，解决了就好，我说的情况是通用情况，就是TV的size比普通的大，所以规避过去就行

stone101 · 发表于 2014-4-22 15:25:21

回复 2# damonzhao

请教下，MC 的工艺文件中是否有与温度相关的部分，比如商用的memory的工作温度是否一般也限定在0~125度，如果我想将这个温度扩展到-55~125度，有什么建议吗？标准单元我可以在ncx下用Hspice重新仿出来

damonzhao · 发表于 2014-4-23 09:55:45

回复 7# stone101

电压温度都会涉及到，跟stdcell的timing lib一个意思。
如果扩展温度范围的话，这要看你有没有对应的仿真model来对应，不然谁也不好说那个温度下的mos管子是什么特性，出来的东西靠不靠谱

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