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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › sentaurus device中如何仿真snapback?
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查看: 5066|回复: 7

[讨论] sentaurus device中如何仿真snapback?

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shaolihan
发表于 2013-11-28 10:59:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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是要增加一些模型还是对参数设置有什么特别的要求？
模型

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ruinsnku
发表于 2013-11-28 15:52:08 | 显示全部楼层
不需要加一些很特别的模型，加上有关载流子的Mobility，Recombination模型，Auger模型，Avalanche模型，BandBand模型，EffectiveIntrinsicDensity模型等等就够了，主要是在器件上加激励的时候注意用扫电流的方式，才能仿真出snap-back现象。
扫电压是仿不出snap-back的。看一下snap-back的曲线，从数学上是很容易理解为什么仿出不来的。
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shaolihan
 楼主| 发表于 2013-12-2 10:15:24 | 显示全部楼层
谢谢解答，另外请问您知道在进行MOS热仿真时，热电极如何设置吗（包括位置具体的值）？
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bs62
发表于 2014-3-19 21:27:17 | 显示全部楼层
回复 2# ruinsnku


   前辈，请问有没有sentaurus下的esd project能观摩学习一下呀？我现在是电子科大的一名学生，现在需要做esd的器件仿真。
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ruinsnku
发表于 2014-3-19 22:59:14 | 显示全部楼层
回复 4# bs62


    刘志伟老师的学生？ 抱歉啊，我也只是读书的时候做了一点ESD，不过都是保密的工艺，恕不能提供。
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bs62
发表于 2014-3-21 09:08:13 | 显示全部楼层
回复 5# ruinsnku


   是的。前辈好睿智！
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ruinsnku
发表于 2014-3-21 09:24:16 | 显示全部楼层
回复 6# bs62


   (⊙o⊙)…  只不过是一次会议见过刘老师。 不过既然是他的学生，直接找他指导就好了啊，他经验应该很丰富~  其实作为新生不要怕，老师们其实喜欢直接跟他交流的学生，尤其是刘老师这样的年轻老师。
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IC2019
发表于 2021-11-18 19:41:11 | 显示全部楼层
ESD器件怎么仿真得？
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