帮我看看这是神马器件的版图谢谢啊

飞驰的小马 · 发表于 2014-3-6 15:45:15

回复 8# ygyg100

而且你描述的它的S最终链接到了其他mos的s或者D，这种栅链接其他栅，S链接其他D或者S是啥子意思啊？

ygyg100 · 发表于 2014-3-6 16:17:50

回复 9# 飞驰的小马

旁边的poly接VDD，那么这个管子是PMOS管了。
gate上面盖S端的金属不知道是干什么的。

ygyg100 · 发表于 2014-3-6 16:22:42

本帖最后由 ygyg100 于 2014-3-6 16:46 编辑

回复 11# 飞驰的小马

你说的这些连接当然有可能了，不奇怪啊。
B端是连接VDD的，S端可能连其他PMOS的D、S

andy2000a · 发表于 2014-3-6 16:41:35

一般 MOS 都是 5v  3.3v ..

20~40v  dual gate 會是 thick oxide , 這些MOS 畫法已有對稱
和非對稱的方式

至於 LDNMOS 一般都是 thin gate (就是低壓GATE  但是drain 耐高壓 ) .
drain 拉開距離就可以耐不同高壓, 20v  30 40 50  60v ..
不過比較怪的是
圖上有兩端畫半圓方式 , 以前看過韓國代工廠  60v BCD 是畫八角型方式 .

至於畫兩端畫半圓  比較常在 bipolar process 看到
特別是  平面bipolar 都會畫半圓或圓形 ,
如果 vertical bipolar 一般都畫類似 MOS 方方正正方式.

MOS 會看到跑道方式 LAYOUT  會是 500v  700v UHV process .
這類會畫相當相當的大顆

樓主IC 編號多少 ?  得看IC DATASHEET 吧.

math123 · 发表于 2014-3-6 18:19:03

本帖最后由 math123 于 2014-3-6 19:22 编辑

回复飞驰的小马

你说的这些连接当然有可能了，不奇怪啊。
B端是连接VDD的，S端可能连其他P ...
ygyg100 发表于 2014-3-6 16:22

登录/注册后可看大图

M就是这个管子的衬底吧，那么B为什么和S在同一F框里面呢；如果说这个F框才是MOS管的BUCK，那么D为什么不在这个BUCK里面呢?
还有，包围B和S的这个F框应该是有源区自对准留下来的，S和这个F有源区应该只有一条分割线，那就是有源区和poly交叠的那条线，其它地方应该是合并的，但在图上看S和有源区明显是两次注入。。。
下面贴个HV NMOS的图，可对比下