ESD保护二极管反向击穿

ruinsnku · 发表于 2014-3-5 21:19:36

发生这种情况的话，一个很大的可能是芯片上最近的VSS PAD离这个stress pin太远，电源线metal宽度不够导致电源线上的电阻太大。这样即便是在stress加上最初始的瞬间，上面的二极管会导通，瞬态电流沿着上面的二极管->电源线->Power clamp 然后到地，这个泄放通路的导通电阻太大，导致通路上流过一个很小的电流时，stress pin上相对地的钳位电压高过了下面的二极管的反向击穿电压，使其反向击穿，然后导致了其热击穿死掉。
只是猜测，具体原因还是得看版图。

crazy_fuck · 发表于 2014-3-5 21:43:02

#11说得有道理，看看PCM参数，看看反向二极管击穿电压跟clamp esd device的BVd电压那个大，再看看layout是否合理！

engineblue · 发表于 2014-3-6 16:13:13

谢谢11楼的分析，谢谢大家帮忙，我先去看一下power clamp和箝位二极管的击穿电压

math123 · 发表于 2014-6-13 23:11:22

本帖最后由 math123 于 2014-6-13 23:14 编辑

楼主的power clamp是用什么结构实现的啊，反向二极管，GGNMOS？
11楼的大牛已经分析过了，PS模式下VSS接地，输入引脚加正的ESD电压，其中一条路径是先经过正向二极管到VDD，然后通过power clamp到地。因为2kV的ESD要流过1.3A的电流，电流密度挺高的，所以这个二极管的正向大电流导通电压肯定不止0.7V，可能是2V甚至更高。

kelvin0803 · 发表于 2014-7-18 17:19:46

考虑一下导通时间的问题

enian · 发表于 2014-10-1 01:18:46

如果因为上面二极管+zener没有足够的导通能力，导致下面的二极管反向击穿，那只能说明，上面的路径实在是不够用，下面可是反向啊，反向都击穿了，电压得多少，那上面的保护能力和没有一样。

zhaoshiyu · 发表于 2017-1-11 17:34:04

learning

西鄙人 · 发表于 2017-1-14 22:49:59

learning！

sean12 · 发表于 2017-1-22 20:53:59

你这个输入带上啦电阻？

zhengffxd · 发表于 2017-2-19 15:42:56

learning

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