Noise Problem

kwankwaner · 发表于 2014-1-20 22:23:25

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hi all, why the 8u/2u NMOS in the picture contributes nearly 600nV/sqrtHz @20Hz ? I check the noise summary and find that the noise is mainly id noise, however the noise is decreasing with the frequency increasing. Does anybody have an idea?

lgy747 · 发表于 2014-2-19 13:56:19

因为Id=0，所以1/f噪声=0，然而沟道电阻仍然存在，所以有热噪声，图中标示了提示，热噪声随f的升高而下降。gds的值可在dc仿真后dc_OpInf中查

kwankwaner · 发表于 2014-2-20 11:16:57

回复 2# lgy747

谢谢指点，但是还有点问题需要请教，如果说按SPICE2来算噪声是8kTgds/3，如果gds是几百f的话，算出来和仿出来差很多，如果按BSIM3来算的话是4kTuQinv/L^2，Qinv=6p，算下来也差很多，这是为什么呢。另外总噪声功率应该是KT/C，但为何仿出来和MOS的尺寸非常相关呢？

lgy747 · 发表于 2014-2-24 12:14:55

回复 3# kwankwaner

自学成菜 · 发表于 2014-2-24 22:56:46

楼上，厉害

zsnh_khy · 发表于 2014-2-25 09:54:51

真牛这解答~

xuriver2012 · 发表于 2014-2-25 10:17:38

佩服
分析问题非常清晰，令人眼界大开。

kwankwaner · 发表于 2014-2-25 10:46:45

回复 4# lgy747

非常感谢，受益匪浅，不过有个问题之前提到过就是对于4kTuQinv/L^2这个公式，那么对于仿真值Qinv=6p，k=1.38e-23，u=1000，T=300，L=10u，带入这个公式之后算出来应该是1nV/sqrtHz，但是实际仿真值是600n，那么是不是有其他没有考虑到的地方呢。

lgy747 · 发表于 2014-2-25 17:20:44

回复 8# kwankwaner

1)u应使用国际单位，1000cm^2/(v*s)=0.1m^2/(v*s)
2)Qinv=qdi+qsi , qdi为d端反型电荷，qsi为s端反型电荷，不要直接使用那个Qinv，因为数量级完全不对头.
3)4kTuQinv/L^2这个公式是电流源的电流，你现在代入求得的是电流1nA/sqrtHz而不是1nV/sqrtHz，你需要
求解的是节点电压，通过id/gds^2转换成电压
第2和第3点我在4楼已经有写到，还望你细看

kwankwaner · 发表于 2014-2-26 11:05:11

回复 9# lgy747

我现在单独仿真一个反偏diode连接的管子1u/16u。qsi=qdi=480e-21，那么带入公式id^2是6.4e-30A，gds是18e-18，那么在极点之前应该是140V/sqrtHz，这是不是又太大了，因为仿真得出的值是400uV/sqrtHz，另外极点的位置也不在gds/2piC=3uHz而是在600mHz，那么是不是还要考虑结电容以及一些寄生电容？但是这个量级差别有点太大了。谢谢您的回答

还有个奇怪的情况是，我用正偏diode连接的管子1u/16u并联于之前的管子，结果不增反减少，这是怎么回事？

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