PSE，OSE TCD cell

XIDIANCAD2 · 发表于 2014-2-12 22:22:19

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PSE，OSE TCD cell这些概念是什么意思啊？

kanikanixjj · 发表于 2014-8-26 10:06:24

回复 1# XIDIANCAD2

PSE: Poly space effect
OSE: Oxide space effect
TCD：Thermal conductivity detector（这个我不确定，是在网上搜索的结果）

icfbicfb · 发表于 2014-8-26 10:51:40

是不是开始做28nm了？
PSE，OSE是40nm下必须要注意的效应，指的是po，od必须要更均匀些，不允许有太空旷的地方，
pr的时候注意加endcap即可，

TCD是technology critical dimension unit的意思，指tsmc拿来做工艺校准用的，
一般芯片里面会均匀的放一些，做为工艺调节和基准点，

fu_wang · 发表于 2014-8-28 20:18:17

回复 3# icfbicfb

您好，可以解释一下PSE 和OSE的原理吗？非常感谢。

icfbicfb · 发表于 2014-8-28 21:22:35

不记得了，要问tsmc

503860720 · 发表于 2022-5-20 19:01:47

Kamon · 发表于 2022-12-3 17:41:14

学习

hahaha~ · 发表于 2024-4-9 17:33:55

PSE指的是边界到PLOY的影响 OSE是STI到OD的影响

[求助] PSE，OSE TCD cell

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