NMOS如何做成10pF的电容？

glorfingol · 发表于 2014-1-8 11:33:02

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本帖最后由 glorfingol 于 2014-1-9 14:37 编辑

如题，各位大神，1.25um工艺下，NMOS如何做成10pF的电容呢？求具体电路和器件宽长比等参数。

victor0o0 · 发表于 2014-1-8 11:45:41

NMOS的G作为一端,SDB连起来作为另一端,就可以了吧

sli103105 · 发表于 2014-1-8 12:25:39

根据TOX可大致估出COX，pick　COX*W*L＝１０pF

semico_ljj · 发表于 2014-1-8 13:28:04

0.13um工艺面积不大的

semico_ljj · 发表于 2014-1-8 13:29:16

设计好大概参数以后，还要通过前后仿真来确定

hszgl · 发表于 2014-1-8 17:07:33

回复 3# sli103105

这个方法几乎毫无实用性。。。

hszgl · 发表于 2014-1-8 17:13:25

本帖最后由 hszgl 于 2014-1-8 17:25 编辑

MOS电容随Vgb的电压变化电容值变化比较大。建议楼主根据以下步骤操作：
1，建一个单位面积的mos（如1u*1u），dc扫描Vgb电压，
2，用.print cggbo(mosname)可以得到mos电容值和Vgb的关系(hspice命令)
3，根据自己电容两端的压差确定这个单位面积的电容值，
4，根据自己需要在乘上倍数，得到你要的电容。

PS，如果两端压差较小，或者工作频率较高，工作在积累区可以获得比较好的效果（限pmos）。

ygchen2 · 发表于 2014-1-9 04:02:42

不妨试试NCAP（NMOS做在NWELL中），这样电容值对偏置电压可以不太敏感。。。

semico_ljj · 发表于 2014-1-9 10:10:51

Ncap MOS 确实好一些。但是只有0.35um以下工艺支持

glorfingol · 发表于 2014-1-9 14:36:46

回复 7# hszgl

MOS做电容是否是G作为一端，SDB连接以后做另外一端？那这个电容的大小是不是Cgs+Cgd+Cgb，而Cgb是WLCox与Cd的并联？我的公式如果正确，那这个电容的大小又如何计算呢？

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