EEPROM设计问题

yqk39 · 发表于 2013-10-8 11:13:51

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最近了解了一下EEPROM的知识，有个问题请教一下：
EEPROM如果不用浮栅管设计，而是用普通的晶体管会有什么缺点？（是数据保存时间不长吗？）

lipengly · 发表于 2013-10-8 11:57:55

断电就没了

lyfztz · 发表于 2013-10-8 12:39:03

EEPROM 和通常的MOS根本就是两种不同的器件，一般的MOS只有一种状态,EEPROM根据floating gate里面的电荷可以有两种状态。这是为什么EEPROM是存储器的原因。

fc不会飞 · 发表于 2013-10-8 14:59:21

eeprom可以用普通的mos来做，会减少成本，问题是要牺牲面积，用两个mos管来代替浮栅和控制栅间的电容以及浮栅和漏极间的电容，普通的mos管同样是需要隧穿效应在类似浮栅的节点上充放电。。至于存储时间上的问题还不是很清楚。。

yqk39 · 发表于 2013-10-8 17:08:10

回复 4# fc不会飞

“用两个mos管来代替浮栅和控制栅间的电容以及浮栅和漏极间的电容”，有介绍这种结构的相关资料吗？我找了一下大多数都是和工艺相关的资料，有的话帮忙推荐一下吧，谢谢！

yqk39 · 发表于 2013-10-24 15:29:59

回复 4# fc不会飞

请教一个问题：用两个普通的CMOS管采用电容接法，在spectre中仿真，会正常出现隧穿效应吗？我仿真时怎么无论加多小的电压等效浮栅上都会有电子？但是电荷只能保持几毫秒？
若有相关经验，请赐教，谢谢！

hszgl · 发表于 2013-10-24 18:36:04

回复 4# fc不会飞

你的意思是将分在两个Nwell里的Pmos衬底加压差，然后让电子从一个管子的衬底里跑到栅上去？但是两个栅氧厚度一样的话，怎么控制电子只在一侧跑来跑去？比较好奇。

fc不会飞 · 发表于 2014-1-2 15:22:48

回复 6# yqk39

两个mos管的用电容连接方式，但是两个电容大小不一样，电容分压后两个电容的连接点就会一直有电势（这可能就是你说的一直有电子），这样小的电容上分的电压大，会有隧穿发生。仿真如果有model可以仿出存储的效果，否则只有像你说的现象，是存不住的，只能仿下外围的时序等

fc不会飞 · 发表于 2014-1-2 15:28:51

回复 7# hszgl

两个管子的大小不一样（具体比例由管子的隧穿电压值和外加高压确定），小的管子上分的电压大，外加的高压相当于全部由小管子来承受，隧穿只发生在它上面

hszgl · 发表于 2014-1-2 15:39:54

回复 9# fc不会飞

了解了，谢谢指点。请问这种用法的电迁移现象是否明显？请指教。

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