MOS 管子栅电压与漏电流关系

孟良1988 · 发表于 2013-11-20 11:03:25

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

工作在饱和区时漏电流与栅电压之间是什么关系？通过Id=0.5un*cox*w/l*(Vgs-Vth）^2，手工计算的结果与仿真
结果相差有几个数量级，请问大神们怎么手工计算漏电流（电流大小确定）？

yuxbaiyingyun · 发表于 2013-12-31 23:15:21

这个公式是一阶模型，你应该学着使用gm/id设计方法，掌握趋势，具体的值你不用丝毫不差。尤其是模拟电路设计没有必要计算到一丝不差的地步，反而会影响你设计水准。

cs811201 · 发表于 2014-1-11 03:07:24

学习了

核桃树 · 发表于 2014-1-14 16:50:00

学习了，什么是gm/id设计方法？

semico_ljj · 发表于 2014-2-16 18:57:14

回复 1# 孟良1988

即使有误差也不会几个数量级吧

haha2233 · 发表于 2016-4-9 03:15:45

学习了

[原创] MOS 管子栅电压与漏电流关系