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查看: 7570|回复: 16

[求助] 谁能具体讲解一下“埋沟”器件。

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发表于 2013-11-7 15:20:05 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最好能附上图。或者有这类资料发一下 。万分感谢啊 。被折磨的要死~

这是百度搜到的:

埋沟器件一般应用在0.25um及以上技术的. 最关键的原因是为了节省制造成本的考虑, NMOSPMOSpoly 都用N+ poly. NMOS当然没问题, 但对PMOS来说由于N+ poly P衬底之间功函数不同, 导致PMOS Vt离目标
偏差较大. 这样的话为了调整Vt, 就需要进行离子注入(一般是B)来调整Vt. 但是这种方法的趋夫效应,
就是使导电沟道在表面之下, 即形成所谓的埋沟. 然而在0.18um及更先进技术的话这种方法导致的短沟道效应会越来越严重, 会产生漏电压升高等问题.因而为了消除这种情况现在制造时都是采用双多晶硅 (尽管成本会上升).

 楼主| 发表于 2013-11-7 17:55:37 | 显示全部楼层
顶顶顶
 楼主| 发表于 2013-11-11 11:48:52 | 显示全部楼层
顶顶顶顶~~~
发表于 2013-11-14 13:15:35 | 显示全部楼层
回复 3# Can_do_go


   据说buried-channel的代表是JFET

半导体器件物理(刘洋)MOSFET-part4.ppt

337.5 KB, 下载次数: 211 , 下载积分: 资产 -2 信元, 下载支出 2 信元

 楼主| 发表于 2013-11-14 16:47:23 | 显示全部楼层
回复 4# lhfy


    。。。资料下不下来啊。总是卡在百分之66就不动了。
发表于 2013-11-15 10:43:30 | 显示全部楼层
回复 5# Can_do_go


  是你网络问题吧,完全正常啊
发表于 2014-6-15 15:17:39 | 显示全部楼层
多谢提供资料。
发表于 2021-10-17 21:29:02 | 显示全部楼层
感谢分享
发表于 2021-11-23 00:58:28 来自手机 | 显示全部楼层
学习了
发表于 2022-3-6 21:01:04 | 显示全部楼层

学习了
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