低电压电流基准

hustcg · 发表于 2013-9-3 13:55:45

回复 8# jiang_shuguo

Vth在420mv左右

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 13:58:34

回复 11# hustcg

给出ss -40下的p，nmos的vth

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 14:07:24

回复 10# hustcg

1%的电流精度还不高啊！PVT？你说的这种结构可靠性差是指Banba cell还是我给你参考的电路？
若做基准的话，不知道你有没有trim。Banba cell is very sensitive to mismatch。你做的Banba cell 是用op了么？

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 14:08:45

回复 10# hustcg

是+-1%的精度20u-+0.2uA

hustcg · 发表于 2013-9-3 14:14:04

回复 12# jiang_shuguo

ss_-40 corner下，Vthp约为503mV，Vthn可达到525mV

hustcg · 发表于 2013-9-3 14:18:30

回复 13# jiang_shuguo

我是用两级运放的，

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 14:21:18

回复 16# hustcg

你放大器能工作在0.9V？

jiang_shuguo · 发表于 2013-9-3 14:23:59

回复 15# hustcg

用我给你的参考结构不太够用啊，呵呵

hustcg · 发表于 2013-9-3 14:28:05

回复 17# jiang_shuguo

运放我单独仿过，可以做到50dB增益和63度的相位裕度

hustcg · 发表于 2013-9-3 14:32:34

回复 18# jiang_shuguo

我最疑惑的是，我用Banba结构的bandgap做基准电压的时候，理论计算得到的电阻比不能满足，需要我不断调试电阻比例，导致最后PTAT电流和CTAT电流都改变了很多才能做到很小的TC，还有我之前没有关注PSRR，最后才发现自己做的PSRR过小，不知道为什么

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