关于MOS管gds的疑问

nanfeng2808 · 发表于 2013-8-26 20:53:58

手册比仿真工具更可信吧

semico_ljj · 发表于 2013-8-26 21:51:36

手册可信。

ygchen2 · 发表于 2013-8-27 02:19:23

在调电路的时候发现mos管的在饱和区的时候gds随vds变化还蛮明显的按道理说饱和区Rds应该不怎么变化哈并且 ...
星空吴发表于 2013-8-12 22:14

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能细说说MOS管的具体环境吗？那种管子，在什么电路，如何偏置，怎么看的Rds？

星空吴 · 发表于 2013-8-27 16:39:54

手册可信。
semico_ljj 发表于 2013-8-26 21:51

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嗯我也持这种态度。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-8-27 17:40:50

回复 14# 星空吴

这个是正常现象，vds增加，由于沟道调整效应，ro先增加；vds继续增加，由于DIBL效应，ro随vds平缓；vds继续增加到很大，hot Carrier，ro迅速下降。
我们设计模拟电路是vds一般变化不大，特殊位置的vds变化很大时，又用到该管的ro保证某些性能，这就必须用L很大比如L=10um。以减弱ro随vds的变化。

drknownothing · 发表于 2013-8-27 20:51:03

回复 10# 星空吴

lamda肯定不應該等於0的 spectre的顯示不對你先確認一下Id有沒有變化如果Id有變化的話 ro肯定會變化

朱立平 · 发表于 2013-8-27 22:53:40

書上說的都是概念真實的MOS rds 與 Vds是非線性關係而且隨製程溫度飄移很大

feynmancgz · 发表于 2013-8-28 06:23:14

回复 1# 星空吴

你说rds会差5、6倍我想问，你仿真的时候，管子宽长给的多少？ Vgs给的多少？看gds的时候，Vds是从多少V变化到多少V，变化是5、6倍？

ygchen2 · 发表于 2013-8-28 06:37:19

嗯我也持这种态度。。
星空吴发表于 2013-8-27 16:39

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就算手册是对的，如果设计中看到的不一样，弄不明白看到不同现象的原因，对于不对也就没有多大意义了。。。可能还是需要搞明白看不到真实值的原因。但好像楼主，并不是太有兴趣细说他的环境和做法。。。所以只好由他瞎猜了。。。

星空吴 · 发表于 2013-8-28 14:18:12

回复 18# feynmancgz

L=1um，VGS是固定的都在饱和区，VDS从300mV到600多.根据1/gds计算Rds应该靠谱吧

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