关于MOS管gds的疑问

星空吴 · 发表于 2013-8-12 22:14:44

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在调电路的时候发现mos管的在饱和区的时候gds随vds变化还蛮明显的按道理说饱和区Rds应该不怎么变化哈并且我用得栅长蛮大的（1um）麻烦高手解释下多谢

mylove2 · 发表于 2013-8-13 15:22:29

回复 1# 星空吴

你再仔细看看现代工艺中MOST是什么样的，halo doping,DIBL，SCBE效应，早已经不是长沟道器件（4um）的理论情况了，vds—id曲线一直在常规的饱和区上翘，不是平的

星空吴 · 发表于 2013-8-13 15:23:12

Vds变化时在饱和区都会差个五六倍。。有了解的么

星空吴 · 发表于 2013-8-13 19:40:54

回复 2# mylove2

根据手册中的图在vdsat不大的情况下饱和区表现还是蛮好的这个给的也是在1um左右情况下

mylove2 · 发表于 2013-8-14 09:19:38

回复 4# 星空吴

为什么要信手册？自己带到spectre里仿真看看，到底是什么样

星空吴 · 发表于 2013-8-24 16:02:33

回复 5# mylove2

手册应该算是比较可靠的还有测试结果不要完全信仿真软件。。

drknownothing · 发表于 2013-8-24 16:21:31

gds的倒數是小信號參數ro，而不是大信號參數rds

星空吴 · 发表于 2013-8-24 20:15:20

回复 7# drknownothing

的确是小信号，但从物理上分析在L=1U的情况下也不该有几倍的变化。你怎么看？

drknownothing · 发表于 2013-8-24 21:46:29

回复 8# 星空吴

ro = 1 / (lamda*Id) 仿真时lamda的值和Id的值有沒有變化？

星空吴 · 发表于 2013-8-26 19:19:10

回复 9# drknownothing

你好我是直接print看管子的DC工作点的然后R=1/gds的，
在sprectre中我看到的lambda=0，你是用什么工具看得？

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