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[求助] 关于MOS管gds的疑问

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发表于 2013-8-12 22:14:44 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在调电路的时候发现mos管的在饱和区的时候gds随vds变化还蛮明显的 按道理说饱和区Rds应该不怎么变化哈 并且我用得栅长蛮大的(1um) 麻烦高手解释下 多谢
发表于 2013-8-13 15:22:29 | 显示全部楼层
回复 1# 星空吴

你再仔细看看现代工艺中MOST是什么样的,halo doping,DIBL,SCBE效应,早已经不是长沟道器件(4um)的理论情况了,vds—id曲线一直在常规的饱和区上翘,不是平的
 楼主| 发表于 2013-8-13 15:23:12 | 显示全部楼层
Vds变化时在饱和区都会差个五六倍 。。有了解的么
 楼主| 发表于 2013-8-13 19:40:54 | 显示全部楼层
iv.png 回复 2# mylove2


    根据手册中的图在vdsat不大的情况下 饱和区表现还是蛮好的 这个给的也是在1um左右情况下
发表于 2013-8-14 09:19:38 | 显示全部楼层
回复 4# 星空吴

为什么要信手册?自己带到spectre里仿真看看,到底是什么样
 楼主| 发表于 2013-8-24 16:02:33 | 显示全部楼层
回复 5# mylove2


    手册应该算是比较可靠的 还有测试结果 不要完全信仿真软件。。
发表于 2013-8-24 16:21:31 | 显示全部楼层
gds的倒數是小信號參數ro,而不是大信號參數rds
 楼主| 发表于 2013-8-24 20:15:20 | 显示全部楼层
回复 7# drknownothing


    的确是小信号, 但从物理上分析在L=1U的情况下也不该有几倍的变化。你怎么看?
发表于 2013-8-24 21:46:29 | 显示全部楼层
回复 8# 星空吴


   ro = 1 / (lamda*Id)   仿真时lamda的值和Id的值有沒有變化?
 楼主| 发表于 2013-8-26 19:19:10 | 显示全部楼层
回复 9# drknownothing


    你好 我是直接print看管子的DC工作点的 然后R=1/gds的,
在sprectre中我看到的lambda=0,你是用什么工具看得?
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