求问SMIC55nm的普通工艺和RF工艺有什么差别啊？

stealingling · 发表于 2013-8-6 23:34:27

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在SoC中需要集成AD与PLL，上一版用的smic0.13um mmrf的工艺，普通的与RF的都是同一种工艺。这一版改用55nm的，普通的与RF的就分开了。但是因为PLL必须要用RF的工艺，所以AD也只有跟着用RF的工艺了。AD的采样率是100M，还远算不上RF吧，这样做会对AD的性能有什么影响吗？想请教一下55nm普通的和RF的工艺具体的差别主要在哪些方面啊？是spice model有差别吗，还是DRC的时候会不一样啊？

buckaroo · 发表于 2013-8-7 11:51:15

普通工艺：无rf device和model，诸如inductor mosfet_rf 等等; top metal厚度薄，通常8K
rf工艺：反之

PLL看频率，上GHZ带电感的，若用mixed signal工艺，电感Q值会受影响，弥补办法就是加大电流。ADC就是mixed signal circuit，啥工艺都OK，只care matching。

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