多子Guardring和少子Guardring的区别~~

l195934605 · 发表于 2013-7-1 14:34:04

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如题~~请大家指点一下！！！多子Guardring和少子Guardring的区别以及各应用在什么情况版图里！！！

fuyibin · 发表于 2013-7-1 15:51:30

不用去看什么多子少子，就是个ptap和nwell ring

shidaixu · 发表于 2013-7-2 11:58:01

一般的NWELL打ntap ,如果把它打在pwell里面就成了少子ring了.所以区别很明显.
有人把少子ring 用来防latch up有一定效果.

terry8876 · 发表于 2013-7-3 22:59:59

http://blog.sina.com.cn/s/blog_4ec255010100szhy.html

这是我自己写的一篇博客，可以回答你这个问题。

zhuyujun · 发表于 2013-7-4 08:50:10

学习了！

l195934605 · 发表于 2013-7-4 09:07:24

回复 4# terry8876

多谢了阿~~~

semico_ljj · 发表于 2013-7-4 10:36:39

回复 4# terry8876

以前没有注意

zmart · 发表于 2013-7-9 20:45:12

主要吸噪声和防latch up

alex_2012 · 发表于 2013-7-12 12:25:10

1. guard ring可看成是一圈pick up的集合體,其作用可視為讓power及ground進入某個或某群devices區域的入水口(定出vdd/power及vss/ground的電位),假如guard ring圍得不紮實,或數量太少,便會使寄生的兩個bjt被turned on,即latch up的發生;反之,若圍上充足的guard ring時,則nwell及p substrate上的阻質便會因此變小,使得latch up的路徑被破壞,因而能阻止latch up的發生.通常我們也會使用double guard ring來防治latch up的發生.

2. 同時,某個,或某區域的device圍上guard ring,可以防止自己被別的device所干擾;也可以防止自己去干擾別的device.例如,在一個類比電路區塊內,若有電阻/電容置於其中,通常我們會在電阻/電容區域及其相近的mos devices區域分別打上其相對應type的guard ring或double guard ring,以防止他們互相干擾.同理,在類比電路與數位電路,或chip周邊等分界也常有此應用.

3. p type mos devices需圍n type guard ring, n type mos devices 需圍p type guard ring,即取其reverse biased 之意.其中pmos與p type guard ring的成份基本上應是同族的,大多為Si摻雜三價元素如硼(boron)製成;而nmos與n type guard ring則為摻雜五價元素如磷(phosphorus)或砷(arsenic)製成.

4. rule....就像樓上大大所說,每家foundry的rule都會不同;就算是同一家foundry,也會因其製程的不同而相異.如台積0.13,聯電0.13及chartered0.13的rule都不見得相同;而就台積本身來說,0.13和0.18的製程的rule也一定不會一樣,因為0.13的製程rule一定比較小.

5. ground通常指接地,即0電位.不過也曾遇過有的人把接負電壓或0電位皆以ground泛稱.不過總之ground指的通常是nmos的source及bulk在default時接的電位.

zj3114122 · 发表于 2013-7-24 10:58:01

楼上很给力~~

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