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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 仿真pip电容，不同corner下容值无变化
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查看: 4963|回复: 8

[求助] 仿真pip电容，不同corner下容值无变化

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发表于 2013-7-4 13:50:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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为了估算不同corner下电路性能的差异，期望得到不同corner下 pip电容的容值的变化。
但是仿真得到的结果完全一样，一点变化都没有，可能是什么原因造成的
已经看了.scs，里面captypical 和capslow capfast 参数是不同的。
仿真方法是ee240介绍的，ac分析 1V 的交流电压 ，在0.5/3.1415926的频率下，扫描电容两端电压的变化，得到的电流值即为电容值。。
有朋友遇到过这种不同corner，但是容值完全一样的情况吗？
朋友

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 楼主| 发表于 2013-7-4 13:51:24 | 显示全部楼层
回复 1# frankobvip


    工艺为CSMC st3600 BCD 工艺
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发表于 2013-7-4 14:17:12 | 显示全部楼层
用固定电流对电容充电相同的时间呢，最终电压也一样吗
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发表于 2013-7-4 14:27:01 | 显示全部楼层
在AC信号上加个固定DC偏压，再看看还相同不
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 楼主| 发表于 2013-7-5 14:09:26 | 显示全部楼层
回复 3# math123


   一样，其他朋友用别的方法得到的结果完全一样。。碰到的问题其实是corner下容值完全一样，没有任何一点点的差别。。
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 楼主| 发表于 2013-7-5 14:10:22 | 显示全部楼层
回复 4# jiang_shuguo


   完全一样，感觉不像是仿真方法的问题，要说软件有问题，感觉也很奇怪。。。
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发表于 2013-7-5 14:21:36 | 显示全部楼层
回复 6# frankobvip


    那你仿真DC下，看静态电容有差别么
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 楼主| 发表于 2013-7-10 14:35:13 | 显示全部楼层
回复 7# jiang_shuguo


   真不好意思，上次没看到最后的回复，我自己用的tran 和ac 仿真方法，别的同事用的别的仿真方法，结果都是不同corner下容值完全一样。同样的方法用在不同的工艺上没问题的，就这个st3600 BCD工艺没区别。。我想应该不是仿真的问题。。
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 楼主| 发表于 2013-7-13 13:58:55 | 显示全部楼层
回复 7# jiang_shuguo

昨天问题解决了，是工艺库的问题，换了一个版本就好了
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