多晶硅栅不能两端都打孔连接金属为什么？

eMon · 发表于 2013-7-1 17:26:27

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刚看到论坛上面的一个资料
上面写说 “多晶硅栅不能两端都打孔连接金属” 不知道这是为什么。求解。谢谢~~

tuohong · 发表于 2013-7-1 21:26:15

design rule中不禁止，可以打，两端打孔一般就是把这个gate同时作为连线了，电阻比较大而已。

heeda · 发表于 2013-7-2 00:19:46

特殊的电阻

蘑菇要冷静 · 发表于 2013-7-2 08:09:26

两端连线是允许的，我不知道你是什么资料。可以发上来看看吗。纳米级的高速电路中布线，如果栅比较长的话必须要2端都给连线。这样的话和MOS管打折的效果差不多。
而且1楼概念有误，MOS在工作或关闭的时候栅上是没有电流的，只有MOS管开启的一瞬间有一个瞬间的电流。所以电阻什么的根本不成立。

allen_tang · 发表于 2013-7-2 08:50:40

回复 4# 蘑菇要冷静

理想状况下吧，正常情况是无论关断还是稳定工作，都会有栅极漏电流，虽然很小，但也会增加静态功耗.

eMon · 发表于 2013-7-2 13:37:50

回复 4# 蘑菇要冷静

http://bbs.eetop.cn/thread-375100-1-1.html 是这个帖子里的资料

firewolf223 · 发表于 2013-7-2 17:14:51

防止机械应力对栅造成损伤

semico_ljj · 发表于 2013-7-4 10:39:19

seeing

tuohong · 发表于 2013-7-4 13:33:27

回复 4# 蘑菇要冷静

实际上在较多的时候，用poly两端打孔可能的情况就是把poly作为连线，类似于用这个poly去代替metal连线，这样就存在RC的概念，R和C都会增大，有好处也有坏处。数字单元里面有很多这样的做法。当然这个poly跟是不是管子的gate没有啥关系。像你提到的gate无电流，但是依然是有一个充电时间存在的，看你的设计关不关心而已。所以，一楼（实际上是二楼）概念上也没啥错误。

蘑菇要冷静 · 发表于 2013-7-4 17:42:56

你们就硬拗就是了.

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