PMOS电容代替miller电容

金小龟 · 发表于 2013-7-1 10:42:45

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运放中的miller电容采用了PMOS电容，使它工作在积累区，电路可以工作，但有一个问题不解，想再请教下。我增大PMOS电容的面积，运放的增益带宽积也增加，PM减小。。按理说，应该是相反的情况啊。不解
求高人指点。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 12:03:48

主次极点放错位置了

semico_ljj · 发表于 2013-7-1 12:07:58

积累区？一般是耗尽区吧！
除非你用Nwell NMOS

金小龟 · 发表于 2013-7-1 13:43:37

回复 2# jiang_shuguo

什么叫主次极点放错位置？主极点是运放的第一级的输出决定的，次极点是运放第二级输出决定。还请指教。。。

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 13:50:40

回复 4# 金小龟

你验证过么？

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 13:52:35

还有，你有调零电阻么？就是你的pmos电容串电阻了么。也可能是右半面零点的原因。

金小龟 · 发表于 2013-7-1 14:15:34

回复 6# jiang_shuguo

有调零电阻，在左半面。调零电阻对PM有一些作用。主要的是。我PMOS电容的尺寸增加，GBW增大。。。这点不解。

semico_ljj · 发表于 2013-7-1 14:26:06

你的输出级是怎样的？
你的PMOS cap是怎么放置的，
上图

jiang_shuguo · 发表于 2013-7-1 14:34:29

感觉还是你的主次极点没在正确的位置

semico_ljj · 发表于 2013-7-1 14:45:09

“我PMOS电容的尺寸增加，GBW增大” 应该不太可能吧！除非主次极点对调了

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