MOS管的截止频率ft

hezudao · 发表于 2013-4-24 22:22:12

回复 9# JoyShockley

你所谓的流行是在哪里？不管用vov，vdsat,还是gm id,有区别吗？

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:25:59

回复 10# hezudao

目前为止，我做的东西大概是这样，tsmc .13um ft*gm/id 随着vstar的变化，极值点就在200mv左右，所以我一般都定在100到300的范围。当然要是vstar 有时需要小于100，那就小于就得了。我这样的仿真还是正确的。

你说他错了，错在哪了

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:28:02

回复 11# hezudao

定义为vstar不是过驱动电压，也不是饱和电压，只是可以近似去解释趋势。只有在长沟道的时候，这三个定义才一样

hezudao · 发表于 2013-4-24 22:28:57

回复 12# JoyShockley

你觉得vdsat小于100mv还能接成二极管来仿真？

hezudao · 发表于 2013-4-24 22:32:07

回复 13# JoyShockley

当然定义肯定是不一样的，你能告诉我一个管子根据vdsat=150mv, 还是vov=150mv,还是gm over id=12来设计有什么区别吗？得到的trend完全是一样的

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:36:13

回复 14# hezudao

我觉得可以，因为vstar的定义就是如此。

答另外一个问题，过驱动电压=VGS-VTH
饱和电压vdsat，是管子饱和是的vds最小值，在短沟道中饱和电压小于过驱动电压。
vstar=2id/gm

这三个定义只是在，长沟道中才相等。
在短沟道中他们完全不一样。但是用于解释趋势时，可以将vstar当做过驱动电压或者饱和电压解释。

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:45:15

基于vstar后，所有的工作就是去查表了。但是传统做法是要知道u*cox才能知道w/l，但是现在根本得不到u*cox。用上vstar后，就不存在这个问题了，因为工艺的因素，已经被仿真得到的表格给包含了

另外，传统做法还要lammda之类的东西，但是在vstar的方法中，我们只关心gm/gds，把所有增益的表达式，都可以转换成各个管子的本真增益的乘积，在乘上一些vstar之比的系数，这个系数更NF类似。所以因为低噪声，我们要同一条支路管子的vstar之比，这个系数又会出现在增益中，低噪声，高增益，低摆幅。

而管子的本证增益，与L和vds/vstar有关，据此得到管子的L.

hezudao · 发表于 2013-4-24 22:51:16

回复 16# JoyShockley

你就没注意，算你那个式子的时候在饱和区才有意义。你接成diode,vdsat<100mv的时候，你看还在饱和区吗？

JoyShockley · 发表于 2013-4-24 22:56:32

回复 18# hezudao

是的，的确很有可能处在弱反型区，截止-弱反型-饱和。因为目前接触到的设计并没有想让管子工作在弱反型，所以不太关心那个区域的ft。

你说要区分，请问具体应用是什么？？

hezudao · 发表于 2013-4-24 22:58:48

回复 19# JoyShockley

你的意思是承认在weak inversion, 接成diode 测gm id不对了？

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