什么是晶体管的early电压，哪位知道？

JoyShockley · 发表于 2013-4-16 12:30:21

回复 10# lyfztz

定义了一个新的系数 lamda 在mos中，但基本概念是一样的，就是mos管的输出电阻是有限的，并且越来越小了。不过在短沟道中，我们更关心本征增益 gm/gds (仅仅与L和VDS有关)。 130m TSMS的管子大概50到60左右的增益，短沟道工艺，想设计高增益的电路，有点难，一是本证增益小，而是供电电压才1.2V 使得cascode 不能用太多。

推荐《微电子电路》

jxjxhwx · 发表于 2013-4-16 12:36:29

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jxjxhwx · 发表于 2013-4-16 13:10:03

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JoyShockley · 发表于 2013-4-16 13:20:23

回复 13# jxjxhwx

恩，取非最小尺寸的管子是可以的。但主要供电电压才1.2V，想用cascode去提高增益，就牺牲了摆幅。摆幅小了，信号功率小，相同信噪比的条件下，就必须把积分噪声做小，就导致要大电容，就导致功耗又上去了。

管子的本征增益一直在减小，更工艺相关。高增益OTA难设计，static error的指标难满足，于是AD中有些不采用OTA了。

总之，低供电电压，短沟道的analog 难死了

jxjxhwx · 发表于 2013-4-16 13:29:49

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sololzd · 发表于 2013-4-17 11:53:57

感谢各位，微电子电路，抽空得看下，应该对我目前的研究有帮助！
另外请教个其它的问题，跨导放大器的pspice建模各位有研究过吗？需要知道哪些参数（以运放参数为例即可）？
补充说明：
只建立功能性模型（瞬态/平均），不需要内部管子的详细参数。

asu2011 · 发表于 2015-9-12 14:44:50

回复 11# JoyShockley

版主你说的那种id/gm的方法有没有复杂点的例子？看到好多教程都是单级放大器的例子。。。一遇到复杂电路，这种方法就不会用了。。。

521gains · 发表于 2015-9-29 09:33:08

回复 8# wxwttf

是的焦点就是电压值

tangyuxiang · 发表于 2017-9-3 15:05:15

学习学习了!!!

王尧888 · 发表于 2018-10-19 16:45:31

学习了，谢谢。感觉又学会东西啦

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