运放管子饱和问题

weidianwj · 发表于 2013-3-21 10:39:00

回复 10# 法兰西之梦

解决方法：
1.首先，你的尾电流M6的Vgs只有371mV？，这个管子工作在什么区你知道吗？过驱电压是多少？你好好看看吧
2.等比例减小M1~M4的尺寸，我不知道你的PMOS的Vth是多少，但是NMOS有412mV，那么PMOS也不会太大对吧？下面问题就来了，你看看这四个管子的Vgs，只有491mV，你的管子过驱电压肯定非常小！这就是你的电路直流偏置点不对的原因，PMOS的Vdsat太小大信号电阻很大，nMOS的D端电压当然很低。当初设计时M1~M4Vdsat你设置为多少？我的建议是就算你想提高摆幅也不要太小了（尽量高于100mV），而且你电流镜像Vdsat过小会带来其他的问，这里就不展开了。记住，一边调一边看这几个管子的栅压是不是下降了。你先试试吧。
再有你的NMOS输入管不能这样接，衬底要接地。
至于你说的左边和右边Vds不一样这很好理解，你的左边两个管子负载一个电流源（阻抗很高），一个是二级管连接MOS（必定饱和），但是你右边的就不一样了，负载情况不一样，Vds当然不一样。
总之你的设计在最开始没有设置好Vdsat的大小，你如果实在不知道怎么设，你就把所有的管子先设置成200mV试试（我估计你现在也没有太高的摆幅要求），先这样吧，不行再问吧。